在半导体衬底上制作交叉线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111275439.1

申请日：

2021-10-29

公开(公告)号：

CN114171668A

公开(公告)日：

2022-03-11

发明(设计)人：

贺晓彬杨涛刘金彪李亭亭唐波李俊峰罗军

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L3924

IPC分类号：

C23C1418 C23C1434 C23C1458

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

史晶晶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 39/24 申请日:20211029
2022-03-11	公开	公开

共 50 条

[1]

在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法 [P].

P·N·斯塔夫里诺 ;

T·S·琼斯 ;

G·帕里 .

中国专利 :CN1331195C ,2005-05-18

[2]

在半导体衬底上生成接触的方法 [P].

于尔根·科勒 ;

托比亚斯·罗德 ;

彼得·格拉比茨 ;

于尔根·沃纳 .

中国专利 :CN102422430A ,2012-04-18

[3]

半导体衬底的制作方法及半导体衬底 [P].

黎重林 ;

沈怡东 ;

杜伟伟 .

中国专利 :CN117524856A ,2024-02-06

[4]

在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 [P].

陈涌海 ;

刘建庆 ;

高云 ;

徐波 ;

张兴旺 ;

王占国 .

中国专利 :CN101840852A ,2010-09-22

[5]

在异质衬底上制作晶体半导体薄膜的方法 [P].

A·阿伯利 ;

P·I·怀登伯格 ;

A·斯特劳布 ;

D－H·纽豪斯 ;

O·哈特利 ;

N－P·哈德 .

中国专利 :CN1720356A ,2006-01-11

[6]

半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 [P].

橘浩一 ;

本乡智惠 ;

布上真也 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1741296A ,2006-03-01

[7]

在半导体衬底上溅射保护涂层的方法 [P].

金智洙 ;

宋政 ;

严必明 ;

彼得·勒文哈德 .

中国专利 :CN1814857A ,2006-08-09

[8]

在半导体衬底上制造无源元件的方法 [P].

达格·贝哈莫尔 .

中国专利 :CN1447985A ,2003-10-08

[9]

在半导体衬底上制造电容器的方法 [P].

高桥实且 .

中国专利 :CN1079993C ,1997-10-08

[10]

在半导体衬底上制备量子环结构的方法 [P].

周慧英 ;

曲胜春 ;

金鹏 ;

徐波 ;

王赤云 ;

刘俊朋 ;

王占国 .

中国专利 :CN101241849B ,2008-08-13

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