在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710063705.8

申请日：

2007-02-07

公开(公告)号：

CN101241850A

公开(公告)日：

2008-08-13

发明(设计)人：

周慧英曲胜春金鹏徐波王赤云刘俊朋王智杰王占国

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21266

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-13	公开	公开
2008-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-04-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101063895897 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL2007100637058 申请日:20070207 授权公告日:20090805 终止日期:20100207
2009-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

在半导体衬底上制备量子环结构的方法 [P].

周慧英 ;

曲胜春 ;

金鹏 ;

徐波 ;

王赤云 ;

刘俊朋 ;

王占国 .

中国专利 :CN101241849B ,2008-08-13

[2]

在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 [P].

周慧英 ;

曲胜春 ;

王占国 .

中国专利 :CN101211760A ,2008-07-02

[3]

在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 [P].

汪明 ;

杨涛 .

中国专利 :CN102208756B ,2011-10-05

[4]

在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 [P].

陈涌海 ;

刘建庆 ;

高云 ;

徐波 ;

张兴旺 ;

王占国 .

中国专利 :CN101840852A ,2010-09-22

[5]

利用铟耗尽机理在含铟衬底上生长的半导体器件 [P].

托马斯·J·米勒 ;

迈克尔·A·哈斯 ;

孙晓光 .

中国专利 :CN102804411A ,2012-11-28

[6]

宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 [P].

刘宁 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN100459045C ,2007-09-19

[7]

一种有序半导体量子点制备方法及装置 [P].

石震武 ;

庄思怡 ;

彭长四 ;

杨新宁 ;

缪力力 ;

耿彪 ;

祁秋月 .

中国专利 :CN114743864A ,2022-07-12

[8]

制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法 [P].

杨晓光 ;

杨涛 .

中国专利 :CN102683491A ,2012-09-19

[9]

在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法 [P].

P·N·斯塔夫里诺 ;

T·S·琼斯 ;

G·帕里 .

中国专利 :CN1331195C ,2005-05-18

[10]

半导体纳米线有序阵列分布的制备方法 [P].

邱凯 ;

周天微 ;

左玉华 .

中国专利 :CN104051576A ,2014-09-17

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