宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610064883.8

申请日：

2006-03-16

公开(公告)号：

CN100459045C

公开(公告)日：

2007-09-19

发明(设计)人：

刘宁金鹏王占国

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L3300 H01L3118 H01S5343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-19	公开	公开
2007-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-04	授权	授权
2017-05-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101717202495 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL2006100648838 申请日:20060316 授权公告日:20090204 终止日期:20160316

共 50 条

[1]

宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 [P].

刘宁 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN101007944A ,2007-08-01

[2]

铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 [P].

吴巨 ;

王宝强 ;

朱战平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1929154A ,2007-03-14

[3]

长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 [P].

刘宁 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN101113328A ,2008-01-30

[4]

铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 [P].

杨涛 ;

季海铭 .

中国专利 :CN101533768B ,2009-09-16

[5]

控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 [P].

梁凌燕 ;

叶小玲 ;

金鹏 ;

陈涌海 ;

徐波 ;

王占国 .

中国专利 :CN101540357B ,2009-09-23

[6]

一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法 [P].

蒋中伟 ;

王文新 ;

陈弘 ;

周均铭 ;

郭丽伟 ;

贾海强 ;

李卫 ;

高汉超 .

中国专利 :CN101593679A ,2009-12-02

[7]

在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 [P].

汪明 ;

杨涛 .

中国专利 :CN102208756B ,2011-10-05

[8]

自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 [P].

刘金龙 ;

李树深 ;

牛智川 .

中国专利 :CN1312813C ,2004-11-24

[9]

利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 [P].

李凯 ;

叶小玲 ;

王占国 .

中国专利 :CN1832102A ,2006-09-13

[10]

砷化铟单晶的生长方法 [P].

李康 ;

苏湛 ;

狄聚青 .

中国专利 :CN119753840A ,2025-04-04

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