在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110100538.6

申请日：

2011-04-21

公开(公告)号：

CN102208756B

公开(公告)日：

2011-10-05

发明(设计)人：

汪明杨涛

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-05	授权	授权
2011-10-05	公开	公开
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101140144231 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2011101005386 申请日:20110421

共 50 条

[1]

高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 [P].

牛智川 ;

徐晓华 ;

倪海桥 ;

徐应强 ;

韩勤 ;

吴荣汉 .

中国专利 :CN1624996A ,2005-06-08

[2]

制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 [P].

潘教青 ;

赵谦 ;

王圩 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN100341214C ,2006-09-27

[3]

制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 [P].

罗帅 ;

季海铭 ;

杨涛 .

中国专利 :CN102684070B ,2012-09-19

[4]

长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 [P].

刘宁 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN101113328A ,2008-01-30

[5]

宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 [P].

刘宁 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN100459045C ,2007-09-19

[6]

磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管 [P].

石瑞英 ;

刘训春 .

中国专利 :CN1459873A ,2003-12-03

[7]

制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 [P].

杨骏捷 ;

付慧清 ;

曾冬妮 ;

潘淑洁 .

中国专利 :CN119627624A ,2025-03-14

[8]

制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 [P].

杨骏捷 ;

付慧清 ;

曾冬妮 ;

潘淑洁 .

中国专利 :CN119627624B ,2025-06-13

[9]

制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 [P].

杨涛 ;

高凤 ;

罗帅 ;

季海铭 .

中国专利 :CN104600564B ,2015-05-06

[10]

利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 [P].

李凯 ;

叶小玲 ;

王占国 .

中国专利 :CN1832102A ,2006-09-13

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