制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510012713.4

申请日：

2015-01-12

公开(公告)号：

CN104600564B

公开(公告)日：

2015-05-06

发明(设计)人：

杨涛高凤罗帅季海铭

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-06	公开	公开
2017-12-19	授权	授权
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611563921 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2015100127134 申请日:20150112

共 50 条

[1]

制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 [P].

罗帅 ;

季海铭 ;

杨涛 .

中国专利 :CN102684070B ,2012-09-19

[2]

制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 [P].

杨骏捷 ;

付慧清 ;

曾冬妮 ;

潘淑洁 .

中国专利 :CN119627624B ,2025-06-13

[3]

制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 [P].

杨骏捷 ;

付慧清 ;

曾冬妮 ;

潘淑洁 .

中国专利 :CN119627624A ,2025-03-14

[4]

一种制备超宽发光谱的砷化铟/磷化铟量子点激光器外延片的方法 [P].

王岩 ;

徐鹏飞 ;

罗帅 ;

季海铭 .

中国专利 :CN113745971A ,2021-12-03

[5]

在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 [P].

汪明 ;

杨涛 .

中国专利 :CN102208756B ,2011-10-05

[6]

制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 [P].

潘教青 ;

赵谦 ;

王圩 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN100341214C ,2006-09-27

[7]

一种基于超声辅助调控量子点激光器有源区的方法 [P].

赵波 ;

秦金源 ;

董克永 ;

齐红霞 .

中国专利 :CN118920271A ,2024-11-08

[8]

无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器 [P].

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN100364193C ,2006-08-30

[9]

宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 [P].

刘宁 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN100459045C ,2007-09-19

[10]

一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 [P].

郭瑜 ;

王春华 ;

刘俊岐 ;

刘峰奇 ;

王占国 .

中国专利 :CN1741329A ,2006-03-01

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