制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510152790.3

申请日：

2025-02-12

公开(公告)号：

CN119627624B

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

杨骏捷付慧清曾冬妮潘淑洁

申请人：

湖南汇思光电科技有限公司

申请人地址：

410000 湖南省长沙市岳麓区岳麓山大学科技城岳麓街道科技创意园5栋328房

IPC主分类号：

H01S5/34

IPC分类号：

H01S5/343 C30B25/02 C30B29/40

代理机构：

长沙市护航专利代理事务所(特殊普通合伙) 43220

代理人：

莫晓齐

法律状态：

公开

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/34申请日:20250212
2025-06-13	授权	授权

共 50 条

[1]

制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 [P].

杨骏捷 ;

付慧清 ;

曾冬妮 ;

潘淑洁 .

中国专利 :CN119627624A ,2025-03-14

[2]

制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 [P].

罗帅 ;

季海铭 ;

杨涛 .

中国专利 :CN102684070B ,2012-09-19

[3]

制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 [P].

杨涛 ;

高凤 ;

罗帅 ;

季海铭 .

中国专利 :CN104600564B ,2015-05-06

[4]

一种制备超宽发光谱的砷化铟/磷化铟量子点激光器外延片的方法 [P].

王岩 ;

徐鹏飞 ;

罗帅 ;

季海铭 .

中国专利 :CN113745971A ,2021-12-03

[5]

在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 [P].

汪明 ;

杨涛 .

中国专利 :CN102208756B ,2011-10-05

[6]

制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 [P].

潘教青 ;

赵谦 ;

王圩 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN100341214C ,2006-09-27

[7]

无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器 [P].

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN100364193C ,2006-08-30

[8]

铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 [P].

杨涛 ;

季海铭 .

中国专利 :CN101533768B ,2009-09-16

[9]

利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 [P].

李凯 ;

叶小玲 ;

王占国 .

中国专利 :CN1832102A ,2006-09-13

[10]

一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 [P].

郭瑜 ;

王春华 ;

刘俊岐 ;

刘峰奇 ;

王占国 .

中国专利 :CN1741329A ,2006-03-01

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