宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610002667.0

申请日：

2006-01-26

公开(公告)号：

CN101007944A

公开(公告)日：

2007-08-01

发明(设计)人：

刘宁金鹏王占国

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C09K1162

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-05-13	授权	授权
2015-03-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101602904788 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL2006100026670 申请日:20060126 授权公告日:20090513 终止日期:20140126
2007-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 [P].

刘宁 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN100459045C ,2007-09-19

[2]

长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 [P].

刘宁 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN101113328A ,2008-01-30

[3]

铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 [P].

杨涛 ;

季海铭 .

中国专利 :CN101533768B ,2009-09-16

[4]

制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法 [P].

杨晓光 ;

杨涛 .

中国专利 :CN102683491A ,2012-09-19

[5]

利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 [P].

李凯 ;

叶小玲 ;

王占国 .

中国专利 :CN1832102A ,2006-09-13

[6]

自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 [P].

刘金龙 ;

李树深 ;

牛智川 .

中国专利 :CN1312813C ,2004-11-24

[7]

一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法 [P].

蒋中伟 ;

王文新 ;

陈弘 ;

周均铭 ;

郭丽伟 ;

贾海强 ;

李卫 ;

高汉超 .

中国专利 :CN101593679A ,2009-12-02

[8]

砷化镓单晶的生长方法 [P].

周国清 ;

董永军 ;

徐军 ;

钱晓波 ;

李晓清 ;

苏凤莲 .

中国专利 :CN1249271C ,2005-08-24

[9]

砷化镓单晶的生长方法 [P].

雷仁贵 ;

易明辉 .

中国专利 :CN106319630A ,2017-01-11

[10]

锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 [P].

杨晓光 ;

杨涛 .

中国专利 :CN102176490A ,2011-09-07

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