过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的制备方法及包括该纳米阵列的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310033599.4

申请日：

2013-01-27

公开(公告)号：

CN103147130B

公开(公告)日：

2013-06-12

发明(设计)人：

朱丽萍万尾甜杨美佳胡亮李亚光许鸿斌陈文丰文震周梦萦张翔宇

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市浙大路38号

IPC主分类号：

C30B3002

IPC分类号：

C30B2916 C25D904

代理机构：

浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100

代理人：

刘晓春

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	授权	授权
2013-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101490734285 IPC(主分类):C30B 30/02 专利申请号:2013100335994 申请日:20130127
2013-06-12	公开	公开
2020-01-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 30/02 申请日:20130127 授权公告日:20160511 终止日期:20190127

共 50 条

[1]

一种过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备方法 [P].

李鑫 ;

杨隆凯 ;

黄海宁 ;

崔千 ;

曹冰冰 ;

王泽宇 .

中国专利 :CN107935037A ,2018-04-20

[2]

一种氮和过渡金属元素掺杂的碳纳米颗粒的制备方法 [P].

崔屾 ;

王艳艳 ;

张玉新 ;

崔兰 .

中国专利 :CN100500559C ,2007-09-26

[3]

半导体与金属准一维纳米异质周期结构阵列的制备方法 [P].

张明喆 ;

宗兆存 ;

王双明 ;

邹广田 .

中国专利 :CN101486442A ,2009-07-22

[4]

ZnO纳米带阵列的制备方法 [P].

蒋武锋 ;

郝素菊 ;

凌云汉 .

中国专利 :CN102181911A ,2011-09-14

[5]

半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法 [P].

张永才 ;

吴晓 ;

张明 ;

胡效亚 .

中国专利 :CN100390248C ,2006-08-16

[6]

制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法 [P].

师文生 ;

齐小鹏 ;

佘广为 .

中国专利 :CN102220615B ,2011-10-19

[7]

一种Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法 [P].

常永勤 ;

杨林 ;

崔兴达 .

中国专利 :CN101704509A ,2010-05-12

[8]

一种半导体/金属异质结纳米线阵列材料的制备工艺 [P].

李文新 ;

周佩珩 .

中国专利 :CN110499489B ,2019-11-26

[9]

一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法 [P].

常永勤 ;

陆映东 ;

杨林 ;

崔兴达 .

中国专利 :CN101538062B ,2009-09-23

[10]

基于光催化技术的半导体纳米及金属纳米微电极阵列的制备方法 [P].

田阳 ;

刘岩 ;

李晓光 .

中国专利 :CN101941672A ,2011-01-12

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