ZnO纳米带阵列的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110100138.5

申请日：

2011-04-21

公开(公告)号：

CN102181911A

公开(公告)日：

2011-09-14

发明(设计)人：

蒋武锋郝素菊凌云汉

申请人：

申请人地址：

063009 河北省唐山市新华西道46号

IPC主分类号：

C25D1134

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108

代理人：

李桂芳;曹淑敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-14	公开	公开
2011-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101127311943 IPC(主分类):C25D 11/34 专利申请号:2011101001385 申请日:20110421
2012-10-10	授权	授权
2015-06-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101612554532 IPC(主分类):C25D 11/34 专利号:ZL2011101001385 申请日:20110421 授权公告日:20121010 终止日期:20140421

共 50 条

[1]

一种ZnO纳米带及其制备方法 [P].

杨为家 ;

刘俊杰 ;

刘铭全 ;

何鑫 ;

陈柏桦 .

中国专利 :CN110204216A ,2019-09-06

[2]

制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法 [P].

师文生 ;

齐小鹏 ;

佘广为 .

中国专利 :CN102220615B ,2011-10-19

[3]

过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的制备方法及包括该纳米阵列的半导体器件 [P].

朱丽萍 ;

万尾甜 ;

杨美佳 ;

胡亮 ;

李亚光 ;

许鸿斌 ;

陈文丰 ;

文震 ;

周梦萦 ;

张翔宇 .

中国专利 :CN103147130B ,2013-06-12

[4]

一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法 [P].

张跃 ;

李峻野 ;

陈翔 ;

闫小琴 ;

冯亚瀛 ;

冯韵迪 ;

孙国帅 ;

徐佳亮 ;

方思萦 .

中国专利 :CN103383979A ,2013-11-06

[5]

绿色顿感纳米阵列起爆药的制备方法 [P].

张文超 ;

王嘉鑫 ;

郑子龙 ;

俞春培 ;

陈亚杰 ;

陈俊宏 ;

宋长坤 ;

叶家海 .

中国专利 :CN113862754A ,2021-12-31

[6]

绿色顿感纳米阵列起爆药的制备方法 [P].

张文超 ;

王嘉鑫 ;

郑子龙 ;

俞春培 ;

陈亚杰 ;

陈俊宏 ;

宋长坤 ;

叶家海 .

中国专利 :CN113862754B ,2024-02-13

[7]

大面积纳米结构阵列的制备方法 [P].

王坚 ;

何增华 ;

王晖 .

中国专利 :CN103540985B ,2014-01-29

[8]

一种制备ZnO基稀磁半导体纳米线阵列的方法 [P].

贾冲 ;

陈翌庆 ;

忻敏君 ;

苏勇 ;

周汉义 .

中国专利 :CN101255600B ,2008-09-03

[9]

一种Au纳米颗粒负载的多孔ZnO纳米带及其制备方法和应用 [P].

郭正 ;

陈绪秀 ;

遇鑫遥 .

中国专利 :CN112710704B ,2024-06-25

[10]

一种Au纳米颗粒负载的多孔ZnO纳米带及其制备方法和应用 [P].

郭正 ;

陈绪秀 ;

遇鑫遥 .

中国专利 :CN112710704A ,2021-04-27

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