一种制备ZnO基稀磁半导体纳米线阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710191170.2

申请日：

2007-12-07

公开(公告)号：

CN101255600B

公开(公告)日：

2008-09-03

发明(设计)人：

贾冲陈翌庆忻敏君苏勇周汉义

申请人：

申请人地址：

230009 安徽省合肥市屯溪路193号

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B2962 C30B100 C30B3002

代理机构：

安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101

代理人：

汪祥虬;何梅生

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-03	公开	公开
2016-01-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101643903707 IPC(主分类):C30B 29/16 专利号:ZL2007101911702 申请日:20071207 授权公告日:20111123 终止日期:20141207
2011-11-23	授权	授权
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

张玉骏 ;

罗屹东 ;

南策文 .

中国专利 :CN103074576B ,2013-05-01

[2]

一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法 [P].

俞大鹏 ;

宋祎璞 ;

王朋伟 .

中国专利 :CN101127303A ,2008-02-20

[3]

制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法 [P].

王浩 ;

汪汉斌 ;

杨辅军 ;

薛双喜 .

中国专利 :CN1831211A ,2006-09-13

[4]

p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183595B ,2008-05-21

[5]

一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法 [P].

戴李宗 ;

肖文军 ;

吴廷华 ;

许一婷 ;

罗伟昂 .

中国专利 :CN101913646B ,2010-12-15

[6]

半导体纳米线有序阵列分布的制备方法 [P].

邱凯 ;

周天微 ;

左玉华 .

中国专利 :CN104051576A ,2014-09-17

[7]

一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法 [P].

陈卫宾 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

施尔畏 ;

孔海宽 .

中国专利 :CN105161288A ,2015-12-16

[8]

NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法 [P].

林元华 ;

罗屹东 ;

张玉骏 ;

南策 .

中国专利 :CN103305964B ,2013-09-18

[9]

一种具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

吴滨 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN112708861B ,2021-04-27

[10]

一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法 [P].

庞晓露 ;

高克玮 ;

杨会生 ;

王燕斌 .

中国专利 :CN101615467A ,2009-12-30

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