一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710121747.2

申请日：

2007-09-13

公开(公告)号：

CN101127303A

公开(公告)日：

2008-02-20

发明(设计)人：

俞大鹏宋祎璞王朋伟

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

关畅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-20	公开	公开
2009-11-04	授权	授权
2014-11-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588052565 IPC(主分类):H01L 21/18 专利号:ZL2007101217472 申请日:20070913 授权公告日:20091104 终止日期:20130913
2008-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法 [P].

高兴国 .

中国专利 :CN105018902A ,2015-11-04

[2]

一种制备ZnO基稀磁半导体纳米线阵列的方法 [P].

贾冲 ;

陈翌庆 ;

忻敏君 ;

苏勇 ;

周汉义 .

中国专利 :CN101255600B ,2008-09-03

[3]

一种掺杂铜的氮化铝基稀磁半导体纳米棒的制备方法 [P].

季小红 ;

凌志远 .

中国专利 :CN101887793A ,2010-11-17

[4]

一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法 [P].

张跃 ;

张晓梅 ;

顾有松 ;

黄运华 ;

齐俊杰 ;

廖庆亮 .

中国专利 :CN1810649A ,2006-08-02

[5]

一种制备室温铁磁性Zn1－xMnxO稀磁半导体纳米线的方法 [P].

常永勤 .

中国专利 :CN100357499C ,2007-02-07

[6]

一种稀磁半导体的制备方法 [P].

刘天府 ;

魏晨燕 ;

邵青龙 ;

张媛 .

中国专利 :CN104064314A ,2014-09-24

[7]

一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法 [P].

吴荣 ;

娄阳 ;

姜楠楠 ;

任银拴 ;

简基康 ;

李强 ;

李锦 ;

孙言飞 .

中国专利 :CN102304699A ,2012-01-04

[8]

稀磁半导体及其制备方法 [P].

韩爱文 .

中国专利 :CN108190941A ,2018-06-22

[9]

一种组装半导体纳米线的方法 [P].

肖忠党 ;

晏善成 ;

王海涛 .

中国专利 :CN101239700A ,2008-08-13

[10]

一种制备稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

姜丽娟 ;

刘超 ;

肖红领 ;

冉军学 ;

王翠梅 .

中国专利 :CN101471244B ,2009-07-01

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