NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310254373.7

申请日：

2013-06-24

公开(公告)号：

CN103305964B

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

林元华罗屹东张玉骏南策

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084-82信箱

IPC主分类号：

D01F908

IPC分类号：

D01F910 D01D500

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

李志东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-18	公开	公开
2013-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101531536990 IPC(主分类):D01F 9/08 专利申请号:2013102543737 申请日:20130624
2015-08-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种P型NiO基稀磁半导体纳米管及其制备方法 [P].

王娇 ;

刘少辉 ;

郝好山 ;

赵利敏 .

中国专利 :CN106495237A ,2017-03-15

[2]

稀磁半导体及其制备方法 [P].

韩爱文 .

中国专利 :CN108190941A ,2018-06-22

[3]

ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

张玉骏 ;

罗屹东 ;

南策文 .

中国专利 :CN103074576B ,2013-05-01

[4]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

[5]

一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

周仁伟 ;

刘学超 ;

郑燕青 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN105551794A ,2016-05-04

[6]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[7]

铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法 [P].

赵洪阳 ;

马志斌 ;

程振祥 ;

王欢 ;

蔡康 .

中国专利 :CN108914086A ,2018-11-30

[8]

一种制备ZnO基稀磁半导体纳米线阵列的方法 [P].

贾冲 ;

陈翌庆 ;

忻敏君 ;

苏勇 ;

周汉义 .

中国专利 :CN101255600B ,2008-09-03

[9]

一种钒掺杂氧化钛纳米稀磁半导体及其制备方法 [P].

袁松柳 ;

田召明 ;

王永强 ;

何惊华 .

中国专利 :CN101188157A ,2008-05-28

[10]

制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 [P].

杨冠东 ;

朱峰 ;

李京波 .

中国专利 :CN102108483A ,2011-06-29

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