制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610018253.7

申请日：

2006-01-19

公开(公告)号：

CN1831211A

公开(公告)日：

2006-09-13

发明(设计)人：

王浩汪汉斌杨辅军薛双喜

申请人：

申请人地址：

430062湖北省武汉市武昌区宝集安

IPC主分类号：

C30B714

IPC分类号：

C30B2962 C30B2916

代理机构：

武汉金堂专利事务所

代理人：

丁齐旭

法律状态：

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-14	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183694219 IPC(主分类):C30B 7/14 专利申请号:2006100182537 专利号:ZL2006100182537 合同备案号:2011330001012 让与人:湖北大学受让人:晨怡(浙江)电子实业有限公司发明名称:制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法申请日:20060119 公开日:20060913 授权公告日:20080611 许可种类:独占许可备案日期:20110722
2006-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-09-13	公开	公开
2013-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101416717709 IPC(主分类):C30B 7/14 专利号:ZL2006100182537 申请日:20060119 授权公告日:20080611 终止日期:20120119
2008-06-11	授权	授权

共 50 条

[1]

p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183595B ,2008-05-21

[2]

ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

张玉骏 ;

罗屹东 ;

南策文 .

中国专利 :CN103074576B ,2013-05-01

[3]

一种掺杂铜的氮化铝基稀磁半导体纳米棒的制备方法 [P].

季小红 ;

凌志远 .

中国专利 :CN101887793A ,2010-11-17

[4]

一种制备ZnO基稀磁半导体纳米线阵列的方法 [P].

贾冲 ;

陈翌庆 ;

忻敏君 ;

苏勇 ;

周汉义 .

中国专利 :CN101255600B ,2008-09-03

[5]

具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

熊泽 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

孔海宽 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102676994A ,2012-09-19

[6]

一种具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

吴滨 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN112708861B ,2021-04-27

[7]

一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法 [P].

吴荣 ;

娄阳 ;

姜楠楠 ;

任银拴 ;

简基康 ;

李强 ;

李锦 ;

孙言飞 .

中国专利 :CN102304699A ,2012-01-04

[8]

一种具有室温铁磁性的Fe掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒的制备 [P].

刘惠莲 ;

杨景海 ;

张永军 .

中国专利 :CN102092772A ,2011-06-15

[9]

一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法 [P].

庞晓露 ;

高克玮 ;

杨会生 ;

王燕斌 .

中国专利 :CN101615467A ,2009-12-30

[10]

一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法 [P].

陈卫宾 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

施尔畏 ;

孔海宽 .

中国专利 :CN105161288A ,2015-12-16

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