半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610037630.1

申请日：

2006-01-06

公开(公告)号：

CN100390248C

公开(公告)日：

2006-08-16

发明(设计)人：

张永才吴晓张明胡效亚

申请人：

申请人地址：

225009江苏省扬州市江阳中路36号

IPC主分类号：

C09K1108

IPC分类号：

代理机构：

南京中新达专利代理有限公司

代理人：

孙鸥

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101201518784 IPC(主分类):C09K 11/08 专利号:ZL2006100376301 申请日:20060106 授权公告日:20080528 终止日期:20110106
2006-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-16	公开	公开
2008-05-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体材料的制备方法 [P].

徐俞 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN109306466A ,2019-02-05

[2]

半导体发光材料芯片及其制备方法 [P].

杜向鹏 .

中国专利 :CN115347094A ,2022-11-15

[3]

半导体发光材料 [P].

S·卡里利 ;

K·奥德 ;

D·格罗兹曼 ;

E·沙维夫 .

中国专利 :CN111201302A ,2020-05-26

[4]

一种Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法 [P].

常永勤 ;

杨林 ;

崔兴达 .

中国专利 :CN101704509A ,2010-05-12

[5]

一种ZnO/SnO2异质结构纳米发光材料的制备方法 [P].

陈春晖 .

中国专利 :CN102504816B ,2012-06-20

[6]

含锡半导体发光材料及其制备方法 [P].

米启兮 ;

张琪琪 ;

吴子颜 .

中国专利 :CN110144216B ,2019-08-20

[7]

一种发光颜色可调的半导体发光材料及制备方法 [P].

徐建萍 ;

李美惠 ;

李岚 ;

张晓松 ;

吴燕宇 ;

罗程远 ;

李萍 ;

牛喜平 .

中国专利 :CN102559172A ,2012-07-11

[8]

制备纳米尺寸发光半导体材料的方法 [P].

N·格兰巴赫 ;

I·达维迪 ;

S·内什塔特 .

中国专利 :CN110072968A ,2019-07-30

[9]

一种半导体发光材料、半导体发光二极管及其制备方法 [P].

汪杨学谦 ;

贺贝佳 ;

刘梓轩 .

中国专利 :CN118460211A ,2024-08-09

[10]

铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置 [P].

李瑛 ;

刘聪 ;

王世伟 ;

薄伟强 ;

姚俊 ;

朱明原 ;

胡业旻 ;

金红明 .

中国专利 :CN102502782A ,2012-06-20

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