半导体发光材料芯片及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211025657.4

申请日：

2022-08-25

公开(公告)号：

CN115347094A

公开(公告)日：

2022-11-15

发明(设计)人：

杜向鹏

申请人：

申请人地址：

518112 广东省深圳市龙岗区南湾街道下李朗社区布澜路76号东久创新科技园一期3栋1001

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300 H01L5150 H01L5156 B82Y3000

代理机构：

广州市合本知识产权代理事务所(普通合伙) 44421

代理人：

梁华行

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-15	公开	公开
2022-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20220825

共 50 条

[1]

半导体发光材料 [P].

S·卡里利 ;

K·奥德 ;

D·格罗兹曼 ;

E·沙维夫 .

中国专利 :CN111201302A ,2020-05-26

[2]

含锡半导体发光材料及其制备方法 [P].

米启兮 ;

张琪琪 ;

吴子颜 .

中国专利 :CN110144216B ,2019-08-20

[3]

一种半导体发光材料、半导体发光二极管及其制备方法 [P].

汪杨学谦 ;

贺贝佳 ;

刘梓轩 .

中国专利 :CN118460211A ,2024-08-09

[4]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

郭志中 ;

张丽旸 .

中国专利 :CN116420236B ,2025-07-22

[5]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

曾坚信 .

中国专利 :CN102569622A ,2012-07-11

[6]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

李刚 .

中国专利 :CN103227256B ,2013-07-31

[7]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

曾坚信 .

中国专利 :CN102610717A ,2012-07-25

[8]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

邬新根 ;

刘英策 ;

李俊贤 ;

魏振东 .

中国专利 :CN109037407A ,2018-12-18

[9]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

曾坚信 .

中国专利 :CN102569623A ,2012-07-11

[10]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

邬新根 ;

刘英策 ;

李俊贤 ;

魏振东 .

中国专利 :CN109037407B ,2024-04-23

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