半导体发光芯片及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110022780.6
申请日
2011-01-20
公开(公告)号
CN102610717A
公开(公告)日
2012-07-25
发明(设计)人
曾坚信
申请人
申请人地址
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号
IPC主分类号
H01L3302
IPC分类号
H01L3312 H01L3300
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体发光芯片及其制造方法 [P]. 
曾坚信 .
中国专利 :CN102569622A ,2012-07-11
[2]
半导体发光芯片及其制造方法 [P]. 
曾坚信 .
中国专利 :CN102569623A ,2012-07-11
[3]
半导体发光芯片及其制造方法 [P]. 
曾坚信 .
中国专利 :CN102544291B ,2012-07-04
[4]
半导体发光芯片及其制造方法 [P]. 
曾坚信 .
中国专利 :CN102683527B ,2012-09-19
[5]
半导体发光芯片制造方法 [P]. 
凃博闵 ;
黄世晟 ;
林雅雯 .
中国专利 :CN102623579A ,2012-08-01
[6]
半导体发光芯片制造方法 [P]. 
凃博闵 ;
黄世晟 .
中国专利 :CN102487111A ,2012-06-06
[7]
半导体发光芯片制造方法 [P]. 
凃博闵 ;
黄世晟 ;
林雅雯 ;
黄嘉宏 ;
杨顺贵 .
中国专利 :CN102544247A ,2012-07-04
[8]
半导体发光芯片及其制造方法 [P]. 
李刚 .
中国专利 :CN103227256B ,2013-07-31
[9]
半导体发光芯片及其制造方法 [P]. 
邬新根 ;
刘英策 ;
李俊贤 ;
魏振东 .
中国专利 :CN109037407A ,2018-12-18
[10]
半导体发光芯片及其制造方法 [P]. 
邬新根 ;
刘英策 ;
李俊贤 ;
魏振东 .
中国专利 :CN109037407B ,2024-04-23