半导体发光芯片制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010573087.3

申请日：

2010-12-04

公开(公告)号：

CN102487111A

公开(公告)日：

2012-06-06

发明(设计)人：

凃博闵黄世晟

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3302 H01L21302

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101699001740 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2010105730873 申请日:20101204 授权公告日:20140827 终止日期:20151204
2012-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101302727663 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010105730873 申请日:20101204
2014-08-27	授权	授权
2012-06-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光芯片制造方法 [P].

凃博闵 ;

黄世晟 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN102623579A ,2012-08-01

[2]

半导体发光芯片制造方法 [P].

凃博闵 ;

黄世晟 ;

林雅雯 ;

黄嘉宏 ;

杨顺贵 .

中国专利 :CN102544247A ,2012-07-04

[3]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

曾坚信 .

中国专利 :CN102569622A ,2012-07-11

[4]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

曾坚信 .

中国专利 :CN102610717A ,2012-07-25

[5]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

曾坚信 .

中国专利 :CN102569623A ,2012-07-11

[6]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

曾坚信 .

中国专利 :CN102544291B ,2012-07-04

[7]

半导体发光芯片制造方法 [P].

凃博闵 ;

黄世晟 ;

洪梓健 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN102569541B ,2012-07-11

[8]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

李刚 .

中国专利 :CN103227256B ,2013-07-31

[9]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

邬新根 ;

刘英策 ;

李俊贤 ;

魏振东 .

中国专利 :CN109037407A ,2018-12-18

[10]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

邬新根 ;

刘英策 ;

李俊贤 ;

魏振东 .

中国专利 :CN109037407B ,2024-04-23

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