半导体发光材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880066096.8

申请日：

2018-10-10

公开(公告)号：

CN111201302A

公开(公告)日：

2020-05-26

发明(设计)人：

S·卡里利 K·奥德 D·格罗兹曼 E·沙维夫

申请人：

申请人地址：

德国达姆施塔特

IPC主分类号：

C09K1102

IPC分类号：

C09K1170 H01L3350

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

陈晰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/02 申请日:20181010
2020-05-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光材料芯片及其制备方法 [P].

杜向鹏 .

中国专利 :CN115347094A ,2022-11-15

[2]

一种半导体发光材料、半导体发光二极管及其制备方法 [P].

汪杨学谦 ;

贺贝佳 ;

刘梓轩 .

中国专利 :CN118460211A ,2024-08-09

[3]

半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法 [P].

张永才 ;

吴晓 ;

张明 ;

胡效亚 .

中国专利 :CN100390248C ,2006-08-16

[4]

含锡半导体发光材料及其制备方法 [P].

米启兮 ;

张琪琪 ;

吴子颜 .

中国专利 :CN110144216B ,2019-08-20

[5]

一种半导体发光材料加工用夹持装置 [P].

王风谦 ;

申展 ;

张贵怀 .

中国专利 :CN218397711U ,2023-01-31

[6]

一种发光颜色可调的半导体发光材料及制备方法 [P].

徐建萍 ;

李美惠 ;

李岚 ;

张晓松 ;

吴燕宇 ;

罗程远 ;

李萍 ;

牛喜平 .

中国专利 :CN102559172A ,2012-07-11

[7]

半导体发光元件、半导体发光装置及半导体发光装置模块 [P].

平间聪 ;

河野圭真 ;

市川幸治 ;

神原大蔵 ;

堀尾直史 .

日本专利 :CN118830092A ,2024-10-22

[8]

一种半导体发光材料的性能测试装置 [P].

王风谦 ;

申展 ;

张贵怀 .

中国专利 :CN218412233U ,2023-01-31

[9]

一种半导体发光材料生产用分散筛罐 [P].

王风谦 ;

申展 ;

张贵怀 .

中国专利 :CN217910595U ,2022-11-29

[10]

半导体发光装置和半导体发光模块 [P].

河野圭真 ;

市川幸治 ;

神原大蔵 ;

堀尾直史 .

日本专利 :CN118216012A ,2024-06-18

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