一种半导体发光材料、半导体发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410391124.0

申请日：

2024-04-02

公开(公告)号：

CN118460211A

公开(公告)日：

2024-08-09

发明(设计)人：

汪杨学谦贺贝佳刘梓轩

申请人：

汪杨学谦

申请人地址：

400000 重庆市渝中区枣子岚垭正街与临华路交叉路口向西北约150米儿院小区1幢502室

IPC主分类号：

C09K11/88

IPC分类号：

C09K11/62 C09K11/61 C09K11/02 H10K50/115

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-09	公开	公开
2024-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09K 11/88申请日:20240402

共 50 条

[1]

半导体发光二极管及其制备方法 [P].

章蓓 ;

张国义 ;

俞大鹏 ;

栾峰 ;

王大军 .

中国专利 :CN1320972A ,2001-11-07

[2]

半导体发光二极管及其制备方法 [P].

刘小亮 ;

朱秀山 ;

黄敏 ;

郑高林 ;

何安和 ;

彭康伟 ;

林素慧 .

中国专利 :CN112201735B ,2021-01-08

[3]

半导体发光二极管及其制备方法 [P].

刘小亮 ;

朱秀山 ;

黄敏 ;

郑高林 ;

何安和 ;

彭康伟 ;

林素慧 .

中国专利 :CN115207183B ,2025-09-12

[4]

半导体发光二极管及其制备方法 [P].

朱秀山 ;

李燕 .

中国专利 :CN113363363B ,2021-09-07

[5]

半导体发光二极管 [P].

中津弘志 ;

山本修 .

中国专利 :CN1155118C ,2000-03-01

[6]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 ;

宋阳熙 ;

孙晙豪 ;

金范俊 .

中国专利 :CN102484185B ,2012-05-30

[7]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李文兵 ;

王江波 ;

董彬忠 ;

杨春艳 .

中国专利 :CN102569571B ,2012-07-11

[8]

发光二极管及半导体发光器件 [P].

齐藤裕久 ;

广濑义幸 ;

永井阳一 ;

北林弘之 ;

池田亚矢子 .

中国专利 :CN100438091C ,2005-05-25

[9]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金起成 ;

金起范 ;

金台勋 ;

申永澈 ;

金荣善 .

中国专利 :CN102315350A ,2012-01-11

[10]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

石川正行 ;

新田康一 .

中国专利 :CN1176497A ,1998-03-18

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