半导体发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110611314.5

申请日：

2021-06-02

公开(公告)号：

CN113363363B

公开(公告)日：

2021-09-07

发明(设计)人：

朱秀山李燕

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3346 H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/20 申请日:20210602
2021-09-07	公开	公开
2022-09-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光二极管及其制备方法 [P].

刘小亮 ;

朱秀山 ;

黄敏 ;

郑高林 ;

何安和 ;

彭康伟 ;

林素慧 .

中国专利 :CN112201735B ,2021-01-08

[2]

半导体发光二极管及其制备方法 [P].

刘小亮 ;

朱秀山 ;

黄敏 ;

郑高林 ;

何安和 ;

彭康伟 ;

林素慧 .

中国专利 :CN115207183B ,2025-09-12

[3]

半导体发光二极管及其制备方法 [P].

章蓓 ;

张国义 ;

俞大鹏 ;

栾峰 ;

王大军 .

中国专利 :CN1320972A ,2001-11-07

[4]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 ;

宋阳熙 ;

孙晙豪 ;

金范俊 .

中国专利 :CN102484185B ,2012-05-30

[5]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李文兵 ;

王江波 ;

董彬忠 ;

杨春艳 .

中国专利 :CN102569571B ,2012-07-11

[6]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金起成 ;

金起范 ;

金台勋 ;

申永澈 ;

金荣善 .

中国专利 :CN102315350A ,2012-01-11

[7]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

石川正行 ;

新田康一 .

中国专利 :CN1176497A ,1998-03-18

[8]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金成珍 ;

崔容硕 ;

金彰渊 ;

韩英宪 ;

俞淳载 .

中国专利 :CN1619845A ,2005-05-25

[9]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

中野雅之 ;

十川博行 ;

山田秀高 .

中国专利 :CN102388470A ,2012-03-21

[10]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

赵济熙 ;

金显秀 .

中国专利 :CN100403557C ,2004-10-27

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