半导体发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080016159.2

申请日：

2010-02-08

公开(公告)号：

CN102388470A

公开(公告)日：

2012-03-21

发明(设计)人：

中野雅之十川博行山田秀高

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101237120050 IPC(主分类):H01L 33/38 专利申请号:2010800161592 申请日:20100208
2012-03-21	公开	公开
2013-12-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

十川博行 ;

中野雅之 ;

山田秀高 .

中国专利 :CN102388471B ,2012-03-21

[2]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 ;

宋阳熙 ;

孙晙豪 ;

金范俊 .

中国专利 :CN102484185B ,2012-05-30

[3]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金起成 ;

金起范 ;

金台勋 ;

申永澈 ;

金荣善 .

中国专利 :CN102315350A ,2012-01-11

[4]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

石川正行 ;

新田康一 .

中国专利 :CN1176497A ,1998-03-18

[5]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

田崎宽郎 ;

山田秀高 ;

十川博行 .

中国专利 :CN103430335B ,2013-12-04

[6]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李文兵 ;

王江波 ;

董彬忠 ;

杨春艳 .

中国专利 :CN102569571B ,2012-07-11

[7]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金成珍 ;

崔容硕 ;

金彰渊 ;

韩英宪 ;

俞淳载 .

中国专利 :CN1619845A ,2005-05-25

[8]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

赵济熙 ;

金显秀 .

中国专利 :CN100403557C ,2004-10-27

[9]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

姜镐在 ;

郑多运 ;

金钟彬 ;

黃亨善 ;

朴清勋 .

中国专利 :CN102280544A ,2011-12-14

[10]

半导体发光二极管 [P].

石川卓哉 ;

荒川智志 ;

向原智一 ;

柏川秋彦 .

中国专利 :CN1256795A ,2000-06-14

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