半导体发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080039812.7

申请日：

2010-09-07

公开(公告)号：

CN102484185B

公开(公告)日：

2012-05-30

发明(设计)人：

李钟览宋阳熙孙晙豪金范俊

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道安山市

IPC主分类号：

H01L3336

IPC分类号：

H01L3338 H01L3340

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

薛义丹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-21	授权	授权
2012-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101298913065 IPC(主分类):H01L 33/36 专利申请号:2010800398127 申请日:20100907
2014-06-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701479177 IPC(主分类):H01L 33/36 专利申请号:2010800398127 变更事项:申请人变更前:首尔OPTO仪器股份有限公司变更后:首尔伟傲世有限公司变更事项:地址变更前:韩国京畿道安山市变更后:韩国京畿道安山市变更事项:申请人变更前:浦项工科大学校产学协力团变更后:浦项工科大学校产学协力团
2012-05-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

田崎宽郎 ;

山田秀高 ;

十川博行 .

中国专利 :CN103430335B ,2013-12-04

[2]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

姜镐在 ;

郑多运 ;

金钟彬 ;

黃亨善 ;

朴清勋 .

中国专利 :CN102280544A ,2011-12-14

[3]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金起成 ;

金起范 ;

金台勋 ;

申永澈 ;

金荣善 .

中国专利 :CN102315350A ,2012-01-11

[4]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

石川正行 ;

新田康一 .

中国专利 :CN1176497A ,1998-03-18

[5]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

中野雅之 ;

十川博行 ;

山田秀高 .

中国专利 :CN102388470A ,2012-03-21

[6]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

十川博行 ;

中野雅之 ;

山田秀高 .

中国专利 :CN102388471B ,2012-03-21

[7]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李文兵 ;

王江波 ;

董彬忠 ;

杨春艳 .

中国专利 :CN102569571B ,2012-07-11

[8]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金成珍 ;

崔容硕 ;

金彰渊 ;

韩英宪 ;

俞淳载 .

中国专利 :CN1619845A ,2005-05-25

[9]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

赵济熙 ;

金显秀 .

中国专利 :CN100403557C ,2004-10-27

[10]

氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法 [P].

高健维 ;

吴邦元 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN1941437A ,2007-04-04

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