半导体发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110183378.6

申请日：

2011-06-30

公开(公告)号：

CN102315350A

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

金起成金起范金台勋申永澈金荣善

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3332 H01L3300

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	公开	公开
2012-11-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101459746123 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2011101833786 变更事项:申请人变更前权利人:三星LED株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121010
2014-07-23	授权	授权
2012-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101194114775 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2011101833786 申请日:20110630

共 50 条

[1]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 ;

宋阳熙 ;

孙晙豪 ;

金范俊 .

中国专利 :CN102484185B ,2012-05-30

[2]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

石川正行 ;

新田康一 .

中国专利 :CN1176497A ,1998-03-18

[3]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

中野雅之 ;

十川博行 ;

山田秀高 .

中国专利 :CN102388470A ,2012-03-21

[4]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

田崎宽郎 ;

山田秀高 ;

十川博行 .

中国专利 :CN103430335B ,2013-12-04

[5]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

十川博行 ;

中野雅之 ;

山田秀高 .

中国专利 :CN102388471B ,2012-03-21

[6]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李文兵 ;

王江波 ;

董彬忠 ;

杨春艳 .

中国专利 :CN102569571B ,2012-07-11

[7]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金成珍 ;

崔容硕 ;

金彰渊 ;

韩英宪 ;

俞淳载 .

中国专利 :CN1619845A ,2005-05-25

[8]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

赵济熙 ;

金显秀 .

中国专利 :CN100403557C ,2004-10-27

[9]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

姜镐在 ;

郑多运 ;

金钟彬 ;

黃亨善 ;

朴清勋 .

中国专利 :CN102280544A ,2011-12-14

[10]

氮化物类半导体发光二极管及其制造方法 [P].

广山良治 ;

三宅泰人 ;

久纳康光 ;

别所靖之 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN102545055A ,2012-07-04

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