氮化物类半导体发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210073325.3

申请日：

2008-09-25

公开(公告)号：

CN102545055A

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

广山良治三宅泰人久纳康光别所靖之畑雅幸

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5323

IPC分类号：

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101708600148 IPC(主分类):H01S 5/323 专利申请号:2012100733253 申请公布日:20120704
2013-04-03	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101553409589 IPC(主分类):H01S 5/323 专利申请号:2012100733253 变更事项:申请人变更前权利人:三洋电机株式会社变更后权利人:未来之光有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:美国加利福尼亚洲登记生效日:20130305
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322520184 IPC(主分类):H01S 5/323 专利申请号:2012100733253 申请日:20080925
2012-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 [P].

广山良治 ;

三宅泰人 ;

久纳康光 ;

别所靖之 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN101809833A ,2010-08-18

[2]

氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 [P].

广山良治 ;

三宅泰人 ;

久纳康光 ;

别所靖之 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN101952982B ,2011-01-19

[3]

氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 [P].

广山良治 ;

三宅泰人 ;

久纳康光 ;

别所靖之 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN103199433A ,2013-07-10

[4]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 ;

宋阳熙 ;

孙晙豪 ;

金范俊 .

中国专利 :CN102484185B ,2012-05-30

[5]

III族氮化物半导体发光二极管及其制造方法 [P].

大野启 ;

山下贤哉 ;

石桥明彦 .

中国专利 :CN110707194A ,2020-01-17

[6]

III族氮化物半导体发光二极管及其制造方法 [P].

大野启 ;

山下贤哉 ;

石桥明彦 .

日本专利 :CN110707194B ,2024-06-04

[7]

基于氮化物的半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李赫民 ;

金显炅 ;

金东俊 ;

申贤秀 .

中国专利 :CN1945865B ,2007-04-11

[8]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金起成 ;

金起范 ;

金台勋 ;

申永澈 ;

金荣善 .

中国专利 :CN102315350A ,2012-01-11

[9]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

石川正行 ;

新田康一 .

中国专利 :CN1176497A ,1998-03-18

[10]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

中野雅之 ;

十川博行 ;

山田秀高 .

中国专利 :CN102388470A ,2012-03-21

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