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氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200880126957.3
申请日：
2008-12-12
公开(公告)号：
CN101952982B
公开(公告)日：
2011-01-19
发明(设计)人：
广山良治 三宅泰人 久纳康光 别所靖之 畑雅幸
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H01L3300
IPC分类号：
H01S5323
代理机构：
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人：
龙淳
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2013-03-27 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101551594509 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801269573 变更事项:申请人 变更前权利人:三洋电机株式会社 变更后权利人:未来之光有限责任公司 变更事项:地址 变更前权利人:日本大阪府 变更后权利人:美国加利福尼亚州 登记生效日:20130301
2011-03-16 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056320048 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801269573 申请日:20081212
2017-05-03 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750911410 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2008801269573 登记生效日:20170414 变更事项:专利权人 变更前权利人:三洋电机株式会社 变更后权利人:晶元光电股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:日本大阪府 变更后权利人:中国台湾新竹市科学园区力行五路5号
2013-05-01 授权 授权
2011-01-19 公开 公开
2017-01-11 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101744706687 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2008801269573 登记生效日:20161221 变更事项:专利权人 变更前权利人:未来之光有限责任公司 变更后权利人:三洋电机株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:美国加利福尼亚州 变更后权利人:日本大阪府
共 50 条
[1]
氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 [P]. 
广山良治 ;
三宅泰人 ;
久纳康光 ;
别所靖之 ;
畑雅幸 .
中国专利 :CN101809833A ,2010-08-18
[2]
氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 [P]. 
广山良治 ;
三宅泰人 ;
久纳康光 ;
别所靖之 ;
畑雅幸 .
中国专利 :CN103199433A ,2013-07-10
[3]
氮化物类半导体元件 [P]. 
大塚康二 ;
杢哲次 ;
佐藤纯治 ;
多田善纪 ;
吉田隆 .
中国专利 :CN1842917A ,2006-10-04
[4]
氮化物类半导体发光二极管及其制造方法 [P]. 
广山良治 ;
三宅泰人 ;
久纳康光 ;
别所靖之 ;
畑雅幸 .
中国专利 :CN102545055A ,2012-07-04
[5]
氮化物类半导体元件 [P]. 
狩野隆司 ;
太田洁 .
中国专利 :CN1893110A ,2007-01-10
[6]
氮化物类半导体发光元件 [P]. 
山田笃志 ;
井上彰 ;
横川俊哉 .
中国专利 :CN103180974A ,2013-06-26
[7]
氮化物类半导体发光元件 [P]. 
住友隆道 ;
上野昌纪 ;
京野孝史 ;
盐谷阳平 ;
善积祐介 .
中国专利 :CN101958386A ,2011-01-26
[8]
氮化物类半导体发光元件 [P]. 
京野孝史 ;
盐谷阳平 ;
善积祐介 ;
秋田胜史 ;
住友隆道 ;
上野昌纪 .
中国专利 :CN102099935A ,2011-06-15
[9]
氮化物类半导体发光元件 [P]. 
井上彰 ;
藤金正树 ;
横川俊哉 .
中国专利 :CN103081136A ,2013-05-01
[10]
氮化物类半导体元件、光学装置和氮化物类半导体元件的制造方法 [P]. 
三宅泰人 ;
久纳康光 ;
畑雅幸 .
中国专利 :CN101841130A ,2010-09-22
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