半导体发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010599572.8

申请日：

2010-12-13

公开(公告)号：

CN102280544A

公开(公告)日：

2011-12-14

发明(设计)人：

姜镐在郑多运金钟彬黃亨善朴清勋

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3332 H01L3312 H01L3342 H01L3300

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;钟强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101177116307 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2010105995728 申请日:20101213
2014-11-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101707076366 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2010105995728 申请公布日:20111214
2011-12-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 ;

宋阳熙 ;

孙晙豪 ;

金范俊 .

中国专利 :CN102484185B ,2012-05-30

[2]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金起成 ;

金起范 ;

金台勋 ;

申永澈 ;

金荣善 .

中国专利 :CN102315350A ,2012-01-11

[3]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李文兵 ;

王江波 ;

董彬忠 ;

杨春艳 .

中国专利 :CN102569571B ,2012-07-11

[4]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

石川正行 ;

新田康一 .

中国专利 :CN1176497A ,1998-03-18

[5]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

金成珍 ;

崔容硕 ;

金彰渊 ;

韩英宪 ;

俞淳载 .

中国专利 :CN1619845A ,2005-05-25

[6]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

中野雅之 ;

十川博行 ;

山田秀高 .

中国专利 :CN102388470A ,2012-03-21

[7]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

赵济熙 ;

金显秀 .

中国专利 :CN100403557C ,2004-10-27

[8]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

田崎宽郎 ;

山田秀高 ;

十川博行 .

中国专利 :CN103430335B ,2013-12-04

[9]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

十川博行 ;

中野雅之 ;

山田秀高 .

中国专利 :CN102388471B ,2012-03-21

[10]

氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法 [P].

高健维 ;

吴邦元 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN1941437A ,2007-04-04

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