氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610139775.2

申请日：

2006-09-25

公开(公告)号：

CN1941437A

公开(公告)日：

2007-04-04

发明(设计)人：

高健维吴邦元闵垘基朴亨镇黄硕珉

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-04	公开	公开
2022-09-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20060925 授权公告日:20081008 终止日期:20210925
2007-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-10-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:三星电机株式会社变更后权利人:三星LED株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20100826 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101008394935 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006101397752
2013-01-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101493196682 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006101397752 变更事项:专利权人变更前权利人:三星LED株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121210
2008-10-08	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法 [P].

高健维 ;

吴邦元 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN101271952A ,2008-09-24

[2]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

石川正行 ;

新田康一 .

中国专利 :CN1176497A ,1998-03-18

[3]

垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 .

中国专利 :CN102668136A ,2012-09-12

[4]

氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

全东珉 ;

韩在镐 ;

姜弼根 .

中国专利 :CN1996627A ,2007-07-11

[5]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 ;

宋阳熙 ;

孙晙豪 ;

金范俊 .

中国专利 :CN102484185B ,2012-05-30

[6]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

姜镐在 ;

郑多运 ;

金钟彬 ;

黃亨善 ;

朴清勋 .

中国专利 :CN102280544A ,2011-12-14

[7]

氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法 [P].

于浩 ;

赵玉娟 ;

甘君锋 ;

尹宝堂 ;

汤献忠 .

中国专利 :CN105161583A ,2015-12-16

[8]

垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

李守烈 ;

吴邦元 ;

白斗高 ;

张泰盛 ;

禹钟均 ;

崔锡范 ;

尹相皓 ;

金东佑 ;

吕寅泰 .

中国专利 :CN101442096A ,2009-05-27

[9]

垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

李守烈 ;

吴邦元 ;

白斗高 ;

张泰盛 ;

禹钟均 ;

崔锡范 ;

尹相皓 ;

金东佑 ;

吕寅泰 .

中国专利 :CN101132040A ,2008-02-27

[10]

氮化镓基发光二极管 [P].

潘群峰 ;

吴志强 ;

林科闯 .

中国专利 :CN101494266A ,2009-07-29

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