垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710097453.0

申请日：

2007-04-29

公开(公告)号：

CN101132040A

公开(公告)日：

2008-02-27

发明(设计)人：

李守烈吴邦元白斗高张泰盛禹钟均崔锡范尹相皓金东佑吕寅泰

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李丙林;张英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-27	公开	公开
2008-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-10-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101008393796 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007100974530 变更事项:专利权人变更前权利人:三星电机株式会社变更后权利人:三星LED株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20100826
2009-09-02	授权	授权
2013-01-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101493592864 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007100974530 变更事项:专利权人变更前权利人:三星LED株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121211

共 50 条

[1]

垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

李守烈 ;

吴邦元 ;

白斗高 ;

张泰盛 ;

禹钟均 ;

崔锡范 ;

尹相皓 ;

金东佑 ;

吕寅泰 .

中国专利 :CN101442096A ,2009-05-27

[2]

垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 .

中国专利 :CN102668136A ,2012-09-12

[3]

氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法 [P].

郑畅达 ;

舒俊 ;

张建立 ;

王小兰 ;

高江东 ;

李丹 ;

杨小霞 ;

潘拴 ;

王立 .

中国专利 :CN114530535A ,2022-05-24

[4]

氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法 [P].

郑畅达 ;

舒俊 ;

张建立 ;

王小兰 ;

高江东 ;

李丹 ;

杨小霞 ;

潘拴 ;

王立 .

中国专利 :CN114530535B ,2025-07-08

[5]

氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

崔锡范 ;

吴邦元 ;

禹钟均 ;

白斗高 .

中国专利 :CN101127382A ,2008-02-20

[6]

氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

全东珉 ;

韩在镐 ;

姜弼根 .

中国专利 :CN1996627A ,2007-07-11

[7]

氮化镓基发光二极管及制备方法 [P].

刁克明 .

中国专利 :CN106282917B ,2017-01-04

[8]

氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法 [P].

高健维 ;

吴邦元 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN1941437A ,2007-04-04

[9]

氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法 [P].

高健维 ;

吴邦元 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN101271952A ,2008-09-24

[10]

氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P].

杨建健 ;

钟志白 ;

陈顺平 ;

梁兆煊 ;

黄少华 ;

赵志伟 .

中国专利 :CN103094449A ,2013-05-08

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