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氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法

被引：0
申请号：
CN202210047002.0
申请日：
2022-01-17
公开(公告)号：
CN114530535A
公开(公告)日：
2022-05-24
发明(设计)人：
郑畅达 舒俊 张建立 王小兰 高江东 李丹 杨小霞 潘拴 王立
申请人：
申请人地址：
330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
IPC主分类号：
H01L3320
IPC分类号：
H01L3312 H01L3338 H01L3300
代理机构：
江西省专利事务所 36100
代理人：
张文
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-05-24 公开 公开
2022-06-10 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/20 申请日:20220117
共 50 条
[1]
氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法 [P]. 
郑畅达 ;
舒俊 ;
张建立 ;
王小兰 ;
高江东 ;
李丹 ;
杨小霞 ;
潘拴 ;
王立 .
中国专利 :CN114530535B ,2025-07-08
[2]
垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P]. 
李钟览 .
中国专利 :CN102668136A ,2012-09-12
[3]
垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P]. 
李守烈 ;
吴邦元 ;
白斗高 ;
张泰盛 ;
禹钟均 ;
崔锡范 ;
尹相皓 ;
金东佑 ;
吕寅泰 .
中国专利 :CN101442096A ,2009-05-27
[4]
垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P]. 
李守烈 ;
吴邦元 ;
白斗高 ;
张泰盛 ;
禹钟均 ;
崔锡范 ;
尹相皓 ;
金东佑 ;
吕寅泰 .
中国专利 :CN101132040A ,2008-02-27
[5]
氮化镓系发光二极管及其制造方法 [P]. 
黄国钦 ;
潘锡明 ;
黄政国 ;
庄基阳 ;
简奉任 .
中国专利 :CN101859843A ,2010-10-13
[6]
氮化镓系发光二极管及其制造方法 [P]. 
黄国钦 ;
潘锡明 ;
黄政国 ;
庄基阳 ;
简奉任 .
中国专利 :CN101127385B ,2008-02-20
[7]
氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P]. 
崔锡范 ;
吴邦元 ;
禹钟均 ;
白斗高 .
中国专利 :CN101127382A ,2008-02-20
[8]
氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P]. 
全东珉 ;
韩在镐 ;
姜弼根 .
中国专利 :CN1996627A ,2007-07-11
[9]
氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P]. 
欧毅德 ;
尹灵峰 ;
刘传桂 ;
林素慧 .
中国专利 :CN102420279A ,2012-04-18
[10]
氮化镓基发光二极管及制备方法 [P]. 
刁克明 .
中国专利 :CN106282917B ,2017-01-04
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