氮化镓基发光二极管及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610794336.9

申请日：

2016-08-31

公开(公告)号：

CN106282917B

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

刁克明

申请人：

申请人地址：

100071 北京市丰台区小屯路150号

IPC主分类号：

C23C1404

IPC分类号：

C23C1406 C23C1434 H01L3300 H01L3332

代理机构：

北京格允知识产权代理有限公司 11609

代理人：

周娇娇;谭辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-27	授权	授权
2017-01-04	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700831556 IPC(主分类):C23C 14/04 专利申请号:2016107943369 申请日:20160831

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

张东炎 ;

刘文 ;

叶大千 ;

刘晓峰 ;

高文浩 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN105826440B ,2016-08-03

[2]

氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

蓝永凌 ;

张家宏 ;

卓昌正 ;

林兓兓 ;

谢翔麟 ;

谢祥彬 ;

徐志波 .

中国专利 :CN103996766A ,2014-08-20

[3]

氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P].

杨建健 ;

钟志白 ;

陈顺平 ;

梁兆煊 ;

黄少华 ;

赵志伟 .

中国专利 :CN103094449A ,2013-05-08

[4]

垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 .

中国专利 :CN102668136A ,2012-09-12

[5]

氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P].

欧毅德 ;

尹灵峰 ;

刘传桂 ;

林素慧 .

中国专利 :CN102420279A ,2012-04-18

[6]

氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

崔锡范 ;

吴邦元 ;

禹钟均 ;

白斗高 .

中国专利 :CN101127382A ,2008-02-20

[7]

氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

全东珉 ;

韩在镐 ;

姜弼根 .

中国专利 :CN1996627A ,2007-07-11

[8]

半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

项若飞 ;

汪连山 ;

赵桂娟 ;

金东东 ;

王建霞 ;

李辉杰 ;

张恒 ;

冯玉霞 ;

焦春美 ;

魏鸿源 ;

杨少延 ;

王占国 .

中国专利 :CN104112803B ,2014-10-22

[9]

氮化镓基发光二极管 [P].

邓小强 ;

张建宝 .

中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25

[10]

氮化镓基发光二极管 [P].

潘群峰 ;

吴志强 ;

林科闯 .

中国专利 :CN101494266A ,2009-07-29

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