氮化镓基发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610167195.4

申请日：

2006-12-28

公开(公告)号：

CN1996627A

公开(公告)日：

2007-07-11

发明(设计)人：

全东珉韩在镐姜弼根

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-10-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101008394925 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006101671954 变更事项:专利权人变更前权利人:三星电机株式会社变更后权利人:三星LED株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20100826
2007-07-11	公开	公开
2013-01-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101492212048 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006101671954 变更事项:专利权人变更前权利人:三星LED株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121205
2009-04-29	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

崔锡范 ;

吴邦元 ;

禹钟均 ;

白斗高 .

中国专利 :CN101127382A ,2008-02-20

[2]

垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 .

中国专利 :CN102668136A ,2012-09-12

[3]

氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P].

欧毅德 ;

尹灵峰 ;

刘传桂 ;

林素慧 .

中国专利 :CN102420279A ,2012-04-18

[4]

氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

张东炎 ;

刘文 ;

叶大千 ;

刘晓峰 ;

高文浩 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN105826440B ,2016-08-03

[5]

氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

蓝永凌 ;

张家宏 ;

卓昌正 ;

林兓兓 ;

谢翔麟 ;

谢祥彬 ;

徐志波 .

中国专利 :CN103996766A ,2014-08-20

[6]

氮化镓基发光二极管及制备方法 [P].

刁克明 .

中国专利 :CN106282917B ,2017-01-04

[7]

氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法 [P].

高健维 ;

吴邦元 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN1941437A ,2007-04-04

[8]

垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

李守烈 ;

吴邦元 ;

白斗高 ;

张泰盛 ;

禹钟均 ;

崔锡范 ;

尹相皓 ;

金东佑 ;

吕寅泰 .

中国专利 :CN101442096A ,2009-05-27

[9]

氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法 [P].

高健维 ;

吴邦元 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN101271952A ,2008-09-24

[10]

垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

李守烈 ;

吴邦元 ;

白斗高 ;

张泰盛 ;

禹钟均 ;

崔锡范 ;

尹相皓 ;

金东佑 ;

吕寅泰 .

中国专利 :CN101132040A ,2008-02-27

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