氮化镓基发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610350604.8

申请日：

2016-05-25

公开(公告)号：

CN105826440B

公开(公告)日：

2016-08-03

发明(设计)人：

张东炎刘文叶大千刘晓峰高文浩王笃祥

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3306 H01L3332 H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101676758489 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2016103506048 申请日:20160525
2019-01-15	授权	授权
2016-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P].

陈秉扬 ;

张中英 ;

罗云明 ;

黄文嘉 ;

陈福全 ;

叶孟欣 .

中国专利 :CN106848011B ,2017-06-13

[2]

氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

蓝永凌 ;

张家宏 ;

卓昌正 ;

林兓兓 ;

谢翔麟 ;

谢祥彬 ;

徐志波 .

中国专利 :CN103996766A ,2014-08-20

[3]

氮化镓基发光二极管 [P].

陈秉扬 ;

张中英 ;

赖昭序 ;

曾建尧 ;

张洁 ;

朱学亮 ;

刘信佑 ;

卢德恩 ;

刘建明 .

中国专利 :CN106784206A ,2017-05-31

[4]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

丁杰 ;

秦双娇 ;

胡任浩 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109950368A ,2019-06-28

[5]

氮化镓基发光二极管及制备方法 [P].

刁克明 .

中国专利 :CN106282917B ,2017-01-04

[6]

半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

项若飞 ;

汪连山 ;

赵桂娟 ;

金东东 ;

王建霞 ;

李辉杰 ;

张恒 ;

冯玉霞 ;

焦春美 ;

魏鸿源 ;

杨少延 ;

王占国 .

中国专利 :CN104112803B ,2014-10-22

[7]

一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

范亚明 ;

王怀兵 ;

郝国栋 ;

刘建平 ;

黄小辉 ;

吴思 ;

孔俊杰 ;

黄强 ;

王峰 .

中国专利 :CN101937953A ,2011-01-05

[8]

氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P].

杨建健 ;

钟志白 ;

陈顺平 ;

梁兆煊 ;

黄少华 ;

赵志伟 .

中国专利 :CN103094449A ,2013-05-08

[9]

氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

崔锡范 ;

吴邦元 ;

禹钟均 ;

白斗高 .

中国专利 :CN101127382A ,2008-02-20

[10]

氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

全东珉 ;

韩在镐 ;

姜弼根 .

中国专利 :CN1996627A ,2007-07-11

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