氮化镓系发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710151262.8

申请日：

2007-09-18

公开(公告)号：

CN101127385B

公开(公告)日：

2008-02-20

发明(设计)人：

黄国钦潘锡明黄政国庄基阳简奉任

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县龙潭乡龙潭科技工业园区龙园一路99号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006018910 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2007101512628 申请日:20070918
2016-11-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101742043430 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007101512628 登记生效日:20161101 变更事项:专利权人变更前权利人:璨圆光电股份有限公司变更后权利人:晶元光电股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾桃园县龙潭乡龙潭科技工业园区龙园一路99号变更后权利人:中国台湾新竹市科学园区力行五路5号
2013-08-14	授权	授权
2008-02-20	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓系发光二极管及其制造方法 [P].

黄国钦 ;

潘锡明 ;

黄政国 ;

庄基阳 ;

简奉任 .

中国专利 :CN101859843A ,2010-10-13

[2]

氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法 [P].

郑畅达 ;

舒俊 ;

张建立 ;

王小兰 ;

高江东 ;

李丹 ;

杨小霞 ;

潘拴 ;

王立 .

中国专利 :CN114530535A ,2022-05-24

[3]

氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法 [P].

郑畅达 ;

舒俊 ;

张建立 ;

王小兰 ;

高江东 ;

李丹 ;

杨小霞 ;

潘拴 ;

王立 .

中国专利 :CN114530535B ,2025-07-08

[4]

发光二极管及其制造方法 [P].

吴琼 .

中国专利 :CN108091747A ,2018-05-29

[5]

氮化镓系发光二极管及制备方法 [P].

马平 ;

刘波亭 ;

甄爱功 ;

郭仕宽 ;

纪攀峰 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103579425A ,2014-02-12

[6]

氮化镓系发光二极管 [P].

赖穆人 ;

杨岳勋 .

中国专利 :CN2788358Y ,2006-06-14

[7]

垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

李钟览 .

中国专利 :CN102668136A ,2012-09-12

[8]

基于氮化镓的发光二极管及其制造方法 [P].

B·哈恩 ;

A·杭莱特 ;

V·哈勒 .

中国专利 :CN100380687C ,2004-09-29

[9]

氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

崔锡范 ;

吴邦元 ;

禹钟均 ;

白斗高 .

中国专利 :CN101127382A ,2008-02-20

[10]

氮化镓基发光二极管及其制造方法 [P].

全东珉 ;

韩在镐 ;

姜弼根 .

中国专利 :CN1996627A ,2007-07-11

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