氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510352936.5

申请日：

2015-06-24

公开(公告)号：

CN105161583A

公开(公告)日：

2015-12-16

发明(设计)人：

于浩赵玉娟甘君锋尹宝堂汤献忠

申请人：

申请人地址：

535000 广西壮族自治区钦州市高新技术产业开发区曙光园C1-2标准厂房

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/02 申请公布日:20151216
2015-12-16	公开	公开
2016-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101642488078 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2015103529365 申请日:20150624

共 50 条

[1]

氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法 [P].

高健维 ;

吴邦元 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN1941437A ,2007-04-04

[2]

氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法 [P].

高健维 ;

吴邦元 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN101271952A ,2008-09-24

[3]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

李文兵 ;

王江波 ;

董彬忠 ;

杨春艳 .

中国专利 :CN102569571B ,2012-07-11

[4]

半导体发光二极管及其制造方法 [P].

石川正行 ;

新田康一 .

中国专利 :CN1176497A ,1998-03-18

[5]

铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

魏学成 ;

闫丹 ;

孙雪娇 ;

王军喜 .

中国专利 :CN120751848A ,2025-10-03

[6]

铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

魏学成 ;

闫丹 ;

孙雪娇 ;

王军喜 .

中国专利 :CN120751848B ,2025-11-21

[7]

氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P].

杨建健 ;

钟志白 ;

陈顺平 ;

梁兆煊 ;

黄少华 ;

赵志伟 .

中国专利 :CN103094449A ,2013-05-08

[8]

氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P].

欧毅德 ;

尹灵峰 ;

刘传桂 ;

林素慧 .

中国专利 :CN102420279A ,2012-04-18

[9]

一种半导体发光二极管及其制作方法 [P].

郑锦坚 ;

王星河 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN106848013B ,2017-06-13

[10]

一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P].

王群 ;

郭炳磊 ;

董彬忠 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN105679900A ,2016-06-15

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