铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511196667.8

申请日：

2025-08-26

公开(公告)号：

CN120751848B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

魏学成闫丹孙雪娇王军喜

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H10H20/814

IPC分类号：

H10H20/01 G06F30/20

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周天宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/814申请日:20250826
2025-10-03	公开	公开
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

魏学成 ;

闫丹 ;

孙雪娇 ;

王军喜 .

中国专利 :CN120751848A ,2025-10-03

[2]

深紫外发光二极管及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

李东昇 ;

张晓平 ;

马新刚 ;

高默然 ;

赵进超 .

中国专利 :CN112510126B ,2021-03-16

[3]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115714155B ,2025-10-31

[4]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115832131B ,2025-10-17

[5]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115986020B ,2025-08-05

[6]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116387420B ,2024-07-16

[7]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

姚禹 ;

郑远志 ;

陈向东 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN108538976A ,2018-09-14

[8]

一种铝镓氮基紫外发光二极管外延层结构及其制备方法 [P].

王书昶 ;

娄祎祎 ;

刘玉申 ;

丁恒 ;

姜文琪 ;

牛信睿 .

中国专利 :CN114361303A ,2022-04-15

[9]

一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

闫发旺 ;

白俊春 ;

汪英杰 .

中国专利 :CN103824915A ,2014-05-28

[10]

一种深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

张紫辉 ;

邵华 ;

张勇辉 .

中国专利 :CN112885933A ,2021-06-01

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