具有高沟道迁移率的SiC-MOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210345929.9

申请日：

2012-09-17

公开(公告)号：

CN103000670A

公开(公告)日：

2013-03-27

发明(设计)人：

安东·毛德罗兰·鲁普汉斯-约阿希姆·舒尔茨

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2910

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;李慧

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-05	授权	授权
2013-03-27	公开	公开
2013-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101444321051 IPC(主分类):H01L 29/10 专利申请号:2012103459299 申请日:20120917

共 50 条

[1]

提高SiC MOSFET沟道迁移率的方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN105047539B ,2015-11-11

[2]

用于改进SiC MOSFET中的沟道迁移率的方法 [P].

Y·C·阿朗戈 ;

G·阿尔菲里 ;

G·罗马诺 .

:CN119856247A ,2025-04-18

[3]

提高垂直导电结构 SiC MOSFET沟道迁移率的方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN105161526A ,2015-12-16

[4]

提高横向导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN105280503A ,2016-01-27

[5]

一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法 [P].

刘莉 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104882367A ,2015-09-02

[6]

具有高沟道迁移率的SiCMOSFET及其制备方法 [P].

王丕龙 ;

杨玉珍 ;

秦鹏海 .

中国专利 :CN115548125A ,2022-12-30

[7]

一种可改善SiC MOSFET沟道迁移率的复合碳化硅结构及其制备方法 [P].

芦伟立 ;

房玉龙 ;

李帅 ;

韩明睿 ;

王启蘅 ;

高楠 ;

王波 .

中国专利 :CN120435033A ,2025-08-05

[8]

具有缩短沟道长度和高Vth的SiC MOSFET [P].

大卫·谢里登 ;

阿拉什·萨莱米 ;

马督尔·博德 .

中国专利 :CN114944338A ,2022-08-26

[9]

一种高沟道迁移率的碳化硅MOSFET及其制备方法 [P].

冀东 .

中国专利 :CN114843347A ,2022-08-02

[10]

具有改进的沟道迁移率的三维晶体管 [P].

S·弗莱克豪斯基 ;

J·亨治尔 ;

R·里克特 ;

P·扎沃卡 .

中国专利 :CN104576643B ,2015-04-29

← 1 2 3 4 5 →