用于加工至少一个半导体衬底的装置和方法

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申请号
CN202080084934.1
申请日
2020-12-01
公开(公告)号
CN114787981A
公开(公告)日
2022-07-22
发明(设计)人
J·鲁德哈德
申请人
申请人地址
德国斯图加特
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
H01J3732 H01L218238 H01L21311 H01L2966
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
郭毅
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
用于加工至少一个半导体衬底的装置和方法 [P]. 
J·鲁德哈德 .
德国专利 :CN114787981B ,2025-06-24
[2]
用于封装至少一个半导体构件的方法和半导体装置 [P]. 
A·克劳斯 ;
N·明吉鲁利 ;
R·博纳塞维茨 .
中国专利 :CN108290732A ,2018-07-17
[3]
具有至少一个用于衬底的定位装置的功率半导体模块 [P]. 
马可·莱德雷尔 ;
雷纳尔·波浦 .
中国专利 :CN102347289A ,2012-02-08
[4]
具有至少一个半导体元件的半导体模块装置 [P]. 
本杰明·希维奥罗 .
德国专利 :CN120677847A ,2025-09-19
[5]
用于驱动至少一个半导体光源的电路装置 [P]. 
伯恩哈德·西塞格 .
中国专利 :CN101657056A ,2010-02-24
[6]
具有至少一个半导体元件的半导体组件 [P]. 
弗洛里安·施瓦茨 ;
本杰明·希维奥罗 .
德国专利 :CN120283303A ,2025-07-08
[7]
具有至少一个半导体元件的半导体组件 [P]. 
史蒂芬·诺伊格鲍尔 ;
奥利弗·拉布 ;
克里斯蒂安·拉杜格 ;
斯特凡·斯特格迈尔 ;
克劳斯·弗洛里安·瓦格纳 ;
迈克尔·威顿 .
德国专利 :CN120322863A ,2025-07-15
[8]
用于形成了至少一个通孔的半导体结构的方法和设备 [P]. 
B·A·科尔瓦尔 ;
J·N·约翰逊 .
中国专利 :CN101232030A ,2008-07-30
[9]
具有连接装置和至少一个半导体构件的结构 [P]. 
K·奥古斯丁 ;
C·格布尔 .
中国专利 :CN101409276A ,2009-04-15
[10]
半导体衬底装置、半导体器件及半导体衬底的加工方法 [P]. 
W·朗海因里希 ;
C·布克塔尔 ;
A·格拉茨 ;
N·哈措波洛斯 ;
K·科诺布罗施 ;
M·勒里希 ;
K·施塔伦贝格 ;
R·施特伦兹 ;
G·滕佩尔 .
中国专利 :CN105810721A ,2016-07-27