一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510388855.0

申请日：

2015-07-02

公开(公告)号：

CN105161534A

公开(公告)日：

2015-12-16

发明(设计)人：

邓小川萧寒李妍月唐亚超甘志梁坤元张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20151216
2016-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101642493506 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015103888550 申请日:20150702
2015-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

邓小川 ;

萧寒 ;

唐亚超 ;

李妍月 ;

梁坤元 ;

甘志 ;

张波 .

中国专利 :CN104952929A ,2015-09-30

[2]

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

邓小川 ;

萧寒 ;

唐亚超 ;

李妍月 ;

梁坤元 ;

甘志 ;

张波 .

中国专利 :CN105161533A ,2015-12-16

[3]

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107275407B ,2017-10-20

[4]

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107248533B ,2017-10-13

[5]

集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

邓小川 ;

宋凌云 ;

陈茜茜 ;

柏思宇 ;

张波 .

中国专利 :CN106098780A ,2016-11-09

[6]

一种碳化硅VDMOS器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN119604002A ,2025-03-11

[7]

一种碳化硅VDMOS器件 [P].

邓小川 ;

李妍月 ;

陈茜茜 ;

张波 .

中国专利 :CN104952917B ,2015-09-30

[8]

一种碳化硅VDMOS器件 [P].

罗小蓉 ;

何清源 ;

张凯 ;

方健 ;

杨霏 .

中国专利 :CN107302024A ,2017-10-27

[9]

碳化硅MOSFET器件及其制作方法 [P].

邓小川 ;

陈茜茜 ;

李立均 ;

李轩 ;

张波 .

中国专利 :CN105762176B ,2016-07-13

[10]

一种碳化硅VDMOS器件的元胞结构及其制作方法 [P].

高秀秀 ;

李诚瞻 ;

齐放 ;

戴小平 .

中国专利 :CN111146290A ,2020-05-12

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