集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610599805.1

申请日：

2016-07-27

公开(公告)号：

CN106098780A

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

邓小川宋凌云陈茜茜柏思宇张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101690444664 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016105998051 申请日:20160727
2022-09-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20220907 变更事项:专利权人变更前权利人:电子科技大学变更后权利人:杰平方半导体（上海）有限公司变更事项:地址变更前权利人:611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更后权利人:201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢4层401室
2016-11-09	公开	公开
2019-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107275407B ,2017-10-20

[2]

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

邓小川 ;

萧寒 ;

李妍月 ;

唐亚超 ;

甘志 ;

梁坤元 ;

张波 .

中国专利 :CN105161534A ,2015-12-16

[3]

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

邓小川 ;

萧寒 ;

唐亚超 ;

李妍月 ;

梁坤元 ;

甘志 ;

张波 .

中国专利 :CN104952929A ,2015-09-30

[4]

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

张金平 ;

邹华 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107248533B ,2017-10-13

[5]

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

邓小川 ;

萧寒 ;

唐亚超 ;

李妍月 ;

梁坤元 ;

甘志 ;

张波 .

中国专利 :CN105161533A ,2015-12-16

[6]

一种集成温度传感器的碳化硅半导体器件 [P].

刘进 ;

黄兴 ;

汪剑华 .

中国专利 :CN222339882U ,2025-01-10

[7]

集成温度传感器的VDMOS器件及其制造方法 [P].

苏越 ;

桂赟 ;

常育宽 ;

宋仁豪 .

中国专利 :CN119486210A ,2025-02-18

[8]

碳化硅温度传感器及其制造方法 [P].

张林 ;

李演明 ;

邱彦章 ;

巨永锋 .

中国专利 :CN103033276B ,2013-04-10

[9]

碳化硅MOSFET器件及其制作方法 [P].

邓小川 ;

陈茜茜 ;

李立均 ;

李轩 ;

张波 .

中国专利 :CN105762176B ,2016-07-13

[10]

碳化硅器件及其制作方法 [P].

王士京 ;

王兆祥 ;

张名瑜 ;

王铃沣 ;

王昕 ;

李俭 .

中国专利 :CN119008400B ,2025-02-25

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