集成温度传感器的VDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411904175.5

申请日：

2024-12-23

公开(公告)号：

CN119486210A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

苏越桂赟常育宽宋仁豪

申请人：

北京宁海芯科集成电路设计有限公司国科大杭州高等研究院浙江海科电子科技有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区荣华南路2号院大族广场T5-1203

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226

代理人：

李明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20241223
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

邓小川 ;

宋凌云 ;

陈茜茜 ;

柏思宇 ;

张波 .

中国专利 :CN106098780A ,2016-11-09

[2]

集成温度传感器的点火IGBT器件 [P].

韩健 ;

陈秋芬 ;

何火军 ;

顾悦吉 ;

杨静 .

中国专利 :CN217062106U ,2022-07-26

[3]

VDMOS器件及其制造方法 [P].

王乐 .

中国专利 :CN102468334B ,2012-05-23

[4]

测量温度的方法、电路、温度传感器、器件及其制造方法 [P].

龙明直 ;

曾琅 ;

赵巍胜 ;

冷群文 .

中国专利 :CN108458800B ,2018-08-28

[5]

集成温度传感器 [P].

J·M·J·登东德 ;

A·博斯 .

中国专利 :CN101438139A ,2009-05-20

[6]

温度传感器及其制造方法 [P].

本冈敏也 ;

北雅己 ;

繁村广志 ;

仓原康朗 ;

田村誓司 .

中国专利 :CN105705924A ,2016-06-22

[7]

温度传感器及其制造方法 [P].

张锡采 .

中国专利 :CN105675165B ,2016-06-15

[8]

温度传感器及其制造方法 [P].

坂本大辅 ;

松浦圭祐 ;

串田健治 .

中国专利 :CN111247407A ,2020-06-05

[9]

温度传感器及其制造方法 [P].

长友宪昭 ;

稻叶均 ;

田中宽 .

中国专利 :CN104169699B ,2014-11-26

[10]

温度传感器及其制造方法 [P].

高桥雅幸 ;

迫田洋子 ;

森分博纪 ;

畑拓兴 .

中国专利 :CN1051630C ,1996-03-20

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