半导体表面金属杂质的去除方法

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专利类型
发明
申请号
CN201510827442.8
申请日
2015-11-24
公开(公告)号
CN106783587B
公开(公告)日
2017-05-31
发明(设计)人
龙命潮
申请人
申请人地址
523087 广东省东莞市南城区宏远工业区
IPC主分类号
H01L213213
IPC分类号
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
郝传鑫
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体表面杂质的清除方法 [P]. 
王汉德 .
中国专利 :CN117995648A ,2024-05-07
[2]
一种半导体表面去除氟杂质的方法 [P]. 
邓三军 .
中国专利 :CN111725066A ,2020-09-29
[3]
一种半导体表面去除氟杂质的方法 [P]. 
邓三军 .
中国专利 :CN111725066B ,2025-01-24
[4]
半导体表面金属处理方法 [P]. 
程丙坤 .
中国专利 :CN112442665A ,2021-03-05
[5]
半导体表面加工方法 [P]. 
陈儒 .
中国专利 :CN114284142A ,2022-04-05
[6]
半导体表面镀膜的方法 [P]. 
宿志影 .
中国专利 :CN115125478A ,2022-09-30
[7]
半导体表面的氧化物去除 [P]. 
李联合 ;
亚历山大·戴维斯 ;
埃德蒙·利菲尔德 .
中国专利 :CN103534786A ,2014-01-22
[8]
半导体表面钝化方法 [P]. 
张书绅 .
中国专利 :CN85100896A ,1985-12-20
[9]
半导体表面护板和方法 [P]. 
野田一树 .
中国专利 :CN102172858A ,2011-09-07
[10]
半导体表面护板和方法 [P]. 
野田一树 .
中国专利 :CN1883044A ,2006-12-20