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半导体表面金属杂质的去除方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201510827442.8
申请日
:
2015-11-24
公开(公告)号
:
CN106783587B
公开(公告)日
:
2017-05-31
发明(设计)人
:
龙命潮
申请人
:
申请人地址
:
523087 广东省东莞市南城区宏远工业区
IPC主分类号
:
H01L213213
IPC分类号
:
代理机构
:
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
:
郝传鑫
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-05-31
公开
公开
2018-10-09
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3213 申请日:20151124
2020-07-17
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体表面杂质的清除方法
[P].
王汉德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东莞新科技术研究开发有限公司
东莞新科技术研究开发有限公司
王汉德
.
中国专利
:CN117995648A
,2024-05-07
[2]
一种半导体表面去除氟杂质的方法
[P].
邓三军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
邓三军
.
中国专利
:CN111725066A
,2020-09-29
[3]
一种半导体表面去除氟杂质的方法
[P].
邓三军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东莞新科技术研究开发有限公司
东莞新科技术研究开发有限公司
邓三军
.
中国专利
:CN111725066B
,2025-01-24
[4]
半导体表面金属处理方法
[P].
程丙坤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
程丙坤
.
中国专利
:CN112442665A
,2021-03-05
[5]
半导体表面加工方法
[P].
陈儒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈儒
.
中国专利
:CN114284142A
,2022-04-05
[6]
半导体表面镀膜的方法
[P].
宿志影
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宿志影
.
中国专利
:CN115125478A
,2022-09-30
[7]
半导体表面的氧化物去除
[P].
李联合
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李联合
;
亚历山大·戴维斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
亚历山大·戴维斯
;
埃德蒙·利菲尔德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
埃德蒙·利菲尔德
.
中国专利
:CN103534786A
,2014-01-22
[8]
半导体表面钝化方法
[P].
张书绅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张书绅
.
中国专利
:CN85100896A
,1985-12-20
[9]
半导体表面护板和方法
[P].
野田一树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
野田一树
.
中国专利
:CN102172858A
,2011-09-07
[10]
半导体表面护板和方法
[P].
野田一树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
野田一树
.
中国专利
:CN1883044A
,2006-12-20
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