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半导体表面镀膜的方法

被引：0
申请号：
CN202110314565.7
申请日：
2021-03-24
公开(公告)号：
CN115125478A
公开(公告)日：
2022-09-30
发明(设计)人：
宿志影
申请人：
申请人地址：
523087 广东省东莞市南城区宏远工业区
IPC主分类号：
C23C1402
IPC分类号：
C23C1406 C23C1422 C23C1432 C23C1602 C23C1626 C23C2804
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
郝传鑫
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-30 公开 公开
共 50 条
[1]
一种半导体表面的镀膜方法 [P]. 
刘晓明 .
中国专利 :CN119506792A ,2025-02-25
[2]
一种在半导体表面加工金属图案的方法 [P]. 
金鹏 ;
撖琳 ;
林杰 .
中国专利 :CN106206256A ,2016-12-07
[3]
带有镀膜结构的半导体 [P]. 
宿志影 .
中国专利 :CN115132830A ,2022-09-30
[4]
一种半导体表面的镀膜方法 [P]. 
何小麟 .
中国专利 :CN115125489A ,2022-09-30
[5]
半导体表面粗糙化方法 [P]. 
高仲山 .
中国专利 :CN102569548A ,2012-07-11
[6]
半导体表面钝化方法 [P]. 
张书绅 .
中国专利 :CN85100896A ,1985-12-20
[7]
半导体表面加工方法 [P]. 
陈儒 .
中国专利 :CN114284142A ,2022-04-05
[8]
半导体表面镀镍膜的方法 [P]. 
何际福 .
中国专利 :CN110184563A ,2019-08-30
[9]
半导体表面金属杂质的去除方法 [P]. 
龙命潮 .
中国专利 :CN106783587B ,2017-05-31
[10]
半导体表面杂质的清除方法 [P]. 
王汉德 .
中国专利 :CN117995648A ,2024-05-07
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