半导体表面镀镍膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810155593.7

申请日：

2018-02-23

公开(公告)号：

CN110184563A

公开(公告)日：

2019-08-30

发明(设计)人：

何际福

申请人：

申请人地址：

523087 广东省东莞市南城区宏远工业区

IPC主分类号：

C23C1402

IPC分类号：

C23C1414 C23C1434 C23C1435

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-30	公开	公开
2021-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/02 申请日:20180223

共 50 条

[1]

半导体表面护板和方法 [P].

野田一树 .

中国专利 :CN102172858A ,2011-09-07

[2]

半导体表面护板和方法 [P].

野田一树 .

中国专利 :CN1883044A ,2006-12-20

[3]

半导体表面镀膜的方法 [P].

宿志影 .

中国专利 :CN115125478A ,2022-09-30

[4]

一种基于半导体晶片生产的金刚石微粉表面镀镍装置 [P].

李东杰 ;

刘东亮 .

中国专利 :CN120330689A ,2025-07-18

[5]

一种基于半导体晶片生产的金刚石微粉表面镀镍装置 [P].

李东杰 ;

刘东亮 .

中国专利 :CN120330689B ,2025-11-04

[6]

半导体表面钝化方法 [P].

张书绅 .

中国专利 :CN85100896A ,1985-12-20

[7]

半导体表面加工方法 [P].

陈儒 .

中国专利 :CN114284142A ,2022-04-05

[8]

半导体表面微颗粒的处理方法 [P].

胡咏兵 .

中国专利 :CN110189994A ,2019-08-30

[9]

半导体表面金属杂质的去除方法 [P].

龙命潮 .

中国专利 :CN106783587B ,2017-05-31

[10]

用于结构化半导体表面的方法和半导体芯片 [P].

埃尔马·鲍尔 ;

贝恩德·勃姆 ;

亚历山大·海因德尔 ;

帕特里克·罗德 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 .

中国专利 :CN102308396A ,2012-01-04

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