半导体表面粗糙化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110285551.3

申请日：

2011-09-23

公开(公告)号：

CN102569548A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

高仲山

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市科学园区工业东三路3号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3322

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

臧建明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324730777 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011102855513 申请日:20110923
2015-11-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101633280742 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2011102855513 申请日:20110923 授权公告日:20140507 终止日期:20140923
2014-05-07	授权	授权
2012-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体表面镀膜的方法 [P].

宿志影 .

中国专利 :CN115125478A ,2022-09-30

[2]

半导体表面钝化方法 [P].

张书绅 .

中国专利 :CN85100896A ,1985-12-20

[3]

半导体表面加工方法 [P].

陈儒 .

中国专利 :CN114284142A ,2022-04-05

[4]

半导体表面护板和方法 [P].

野田一树 .

中国专利 :CN102172858A ,2011-09-07

[5]

半导体装置的制造方法以及半导体表面的微粗糙度减低方法 [P].

大见忠弘 ;

森永均 .

中国专利 :CN101379597A ,2009-03-04

[6]

半导体表面金属处理方法 [P].

程丙坤 .

中国专利 :CN112442665A ,2021-03-05

[7]

半导体表面护板和方法 [P].

野田一树 .

中国专利 :CN1883044A ,2006-12-20

[8]

表面粗糙化方法 [P].

伯纳德·阿斯帕 ;

克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 ;

尼古拉斯·苏萨贝 .

中国专利 :CN101578231A ,2009-11-11

[9]

用于结构化半导体表面的方法和半导体芯片 [P].

埃尔马·鲍尔 ;

贝恩德·勃姆 ;

亚历山大·海因德尔 ;

帕特里克·罗德 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 .

中国专利 :CN102308396A ,2012-01-04

[10]

半导体表面结构侧壁表征方法 [P].

姚树歆 ;

李铭 ;

储佳 .

中国专利 :CN103065992A ,2013-04-24

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