半导体装置的制造方法以及半导体表面的微粗糙度减低方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780004105.2

申请日：

2007-01-30

公开(公告)号：

CN101379597A

公开(公告)日：

2009-03-04

发明(设计)人：

大见忠弘森永均

申请人：

申请人地址：

日本国宫城县

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

G01B1106

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-03-04	公开	公开
2012-07-18	授权	授权
2016-03-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101651897647 IPC(主分类):H01L 21/304 专利号:ZL2007800041052 申请日:20070130 授权公告日:20120718 终止日期:20150130

共 50 条

[1]

半导体元件表面增加粗糙度的方法 [P].

刘晓明 .

中国专利 :CN113380617A ,2021-09-10

[2]

半导体表面粗糙化方法 [P].

高仲山 .

中国专利 :CN102569548A ,2012-07-11

[3]

一种半导体表面上增加粗糙度的方法 [P].

肖荣健 .

中国专利 :CN111725061A ,2020-09-29

[4]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

牛山吉孝 .

中国专利 :CN107818999A ,2018-03-20

[5]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

牛山吉孝 .

日本专利 :CN107818999B ,2024-05-24

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

富士和则 ;

吴小鹏 .

中国专利 :CN115699295A ,2023-02-03

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

藤卷浩和 ;

金子恒一 .

中国专利 :CN107527922B ,2017-12-29

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

西村勇 .

日本专利 :CN118830077A ,2024-10-22

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

高桥聪一郎 .

日本专利 :CN120981916A ,2025-11-18

[10]

半导体表面钝化方法 [P].

张书绅 .

中国专利 :CN85100896A ,1985-12-20

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