半导体元件表面增加粗糙度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010114811.X

申请日：

2020-02-25

公开(公告)号：

CN113380617A

公开(公告)日：

2021-09-10

发明(设计)人：

刘晓明

申请人：

申请人地址：

523087 广东省东莞市南城区宏远工业区

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体表面上增加粗糙度的方法 [P].

肖荣健 .

中国专利 :CN111725061A ,2020-09-29

[2]

一种轧辊表面增加粗糙度装置 [P].

冉令彬 ;

魏振国 ;

石志明 .

中国专利 :CN220445450U ,2024-02-06

[3]

改善半导体晶片的表面粗糙度的工艺 [P].

E·内雷 ;

C·马勒维尔 ;

L·埃卡尔诺 .

中国专利 :CN1879205B ,2006-12-13

[4]

减小表面粗糙度的半导体晶片的粗抛方法 [P].

维波·克里斯纳 ;

迈克尔·S·威斯尼斯基 ;

洛伊斯·伊利希 .

中国专利 :CN1117203A ,1996-02-21

[5]

一种增加粗糙度的上转向轴 [P].

解濠廷 .

中国专利 :CN204452558U ,2015-07-08

[6]

半导体样本检查的粗糙度估算 [P].

P·J-M·J·希瓦利埃 ;

J-F·A·布格隆 .

:CN120833303A ,2025-10-24

[7]

底部粗糙度减小的半导体部件的应力缓冲元件 [P].

亨德里克·胡切斯坦巴赫 .

中国专利 :CN101765913B ,2010-06-30

[8]

降低表面粗糙度的方法 [P].

E·布雷 ;

L·埃尔卡诺 .

中国专利 :CN1524289A ,2004-08-25

[9]

一种半导体侧面粗糙度改善方法 [P].

郭振新 .

中国专利 :CN111599672A ,2020-08-28

[10]

半导体装置的制造方法以及半导体表面的微粗糙度减低方法 [P].

大见忠弘 ;

森永均 .

中国专利 :CN101379597A ,2009-03-04

← 1 2 3 4 5 →