一种半导体侧面粗糙度改善方法

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专利类型
发明
申请号
CN201910136435.1
申请日
2019-02-21
公开(公告)号
CN111599672A
公开(公告)日
2020-08-28
发明(设计)人
郭振新
申请人
申请人地址
523087 广东省东莞市南城区宏远工业区
IPC主分类号
H01L21304
IPC分类号
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
郝传鑫
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体侧面处理方法 [P]. 
胡咏兵 .
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[2]
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[3]
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C·马勒维尔 ;
L·埃卡尔诺 .
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[4]
改善沟槽侧壁粗糙度的方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
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[5]
半导体元件表面增加粗糙度的方法 [P]. 
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[6]
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沈忆华 ;
涂火金 ;
宋化龙 ;
史运泽 .
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[7]
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[8]
一种测量半导体鳍部粗糙度的方法 [P]. 
曾绍海 ;
左青云 ;
李铭 ;
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中国专利 :CN108550532B ,2018-09-18
[9]
空气主轴的粗糙度改善方法 [P]. 
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[10]
半导体装置的制造方法以及半导体表面的微粗糙度减低方法 [P]. 
大见忠弘 ;
森永均 .
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