一种测量半导体鳍部粗糙度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810234848.9

申请日：

2018-03-21

公开(公告)号：

CN108550532B

公开(公告)日：

2018-09-18

发明(设计)人：

曾绍海左青云李铭黄仁东

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;陈慧弘

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20180321
2020-10-02	授权	授权
2018-09-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种改善半导体鳍部表面粗糙度的方法 [P].

曾绍海 ;

李铭 .

中国专利 :CN108550526A ,2018-09-18

[2]

一种半导体侧面粗糙度改善方法 [P].

郭振新 .

中国专利 :CN111599672A ,2020-08-28

[3]

半导体样本检查的粗糙度估算 [P].

P·J-M·J·希瓦利埃 ;

J-F·A·布格隆 .

:CN120833303A ,2025-10-24

[4]

半导体元件表面增加粗糙度的方法 [P].

刘晓明 .

中国专利 :CN113380617A ,2021-09-10

[5]

改善半导体晶片的表面粗糙度的工艺 [P].

E·内雷 ;

C·马勒维尔 ;

L·埃卡尔诺 .

中国专利 :CN1879205B ,2006-12-13

[6]

减小表面粗糙度的半导体晶片的粗抛方法 [P].

维波·克里斯纳 ;

迈克尔·S·威斯尼斯基 ;

洛伊斯·伊利希 .

中国专利 :CN1117203A ,1996-02-21

[7]

降低线边缘粗糙度的半导体结构的制造方法 [P].

吴常明 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103021819A ,2013-04-03

[8]

地表粗糙度测量装置及地表粗糙度测量方法 [P].

杨习荣 .

中国专利 :CN102135423A ,2011-07-27

[9]

一种半导体封装用FCBGA散热片Dimple粗糙度测量的测量工装 [P].

董其刚 ;

詹敏 ;

郝四明 .

中国专利 :CN114705152A ,2022-07-05

[10]

表面粗糙度的测量 [P].

J·帕尔马尔 ;

C·伦纳茨 ;

S·纳普 ;

P·费耶斯 .

德国专利 :CN121219550A ,2025-12-26

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