降低线边缘粗糙度的半导体结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110359127.9

申请日：

2011-11-14

公开(公告)号：

CN103021819A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

吴常明陈逸男刘献文

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204

代理人：

余朦;王艳春

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722806187 IPC(主分类):H01L 21/027 专利申请号:2011103591279 申请公布日:20130403
2013-04-03	公开	公开
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448961749 IPC(主分类):H01L 21/027 专利申请号:2011103591279 申请日:20111114

共 50 条

[1]

经由步长更改的线边缘粗糙度降低 [P].

托马斯·L·莱蒂格 ;

约瑟夫·约翰逊 ;

克里斯多弗·丹尼斯·本彻 .

中国专利 :CN108351599A ,2018-07-31

[2]

线边缘粗糙度控制 [P].

Y·蔡 ;

H·H·朱 ;

S·李 ;

S·S·康 .

中国专利 :CN101027759A ,2007-08-29

[3]

改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法 [P].

李亮 ;

沈忆华 ;

涂火金 ;

宋化龙 ;

史运泽 .

中国专利 :CN102136415B ,2011-07-27

[4]

降低硅片边缘粗糙度的工艺方法 [P].

张森阳 .

中国专利 :CN120619986A ,2025-09-12

[5]

降低EUV光刻胶图案的线边缘粗糙度的方法 [P].

王新科 ;

沈泽青 ;

苏米特·辛格·罗伊 ;

阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ;

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

唐杰丛 ;

约翰·苏迪约诺 ;

马克·萨利 .

美国专利 :CN119422226A ,2025-02-11

[6]

半导体样本检查的粗糙度估算 [P].

P·J-M·J·希瓦利埃 ;

J-F·A·布格隆 .

:CN120833303A ,2025-10-24

[7]

两步骤植入以改善线边缘粗糙度与线宽粗糙度 [P].

约翰·哈塔拉 ;

戴辉雄 .

美国专利 :CN120303771A ,2025-07-11

[8]

降低表面粗糙度的方法 [P].

E·布雷 ;

L·埃尔卡诺 .

中国专利 :CN1524289A ,2004-08-25

[9]

使线宽粗糙度和线边缘粗糙度最小化的关键尺寸修整方法 [P].

安热利克·D·雷利 ;

苏巴迪普·卡尔 .

中国专利 :CN110444475A ,2019-11-12

[10]

硅片边缘粗糙度的检测方法 [P].

罗国菁 .

中国专利 :CN118794380A ,2024-10-18

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