降低硅片边缘粗糙度的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510860222.9

申请日：

2025-06-25

公开(公告)号：

CN120619986A

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

张森阳

申请人：

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请人地址：

311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号

IPC主分类号：

B24B9/06

IPC分类号：

B24B41/06 B24B57/02 B24B55/12 B24B49/02

代理机构：

杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266

代理人：

沈相权

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B24B 9/06申请日:20250625
2025-09-12	公开	公开

共 50 条

[1]

硅片边缘粗糙度的检测方法 [P].

罗国菁 .

中国专利 :CN118794380A ,2024-10-18

[2]

一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺 [P].

张冲波 ;

吴镐硕 ;

刘秒 ;

陈良臻 ;

刘琦 ;

武卫 ;

孙晨光 .

中国专利 :CN109623554A ,2019-04-16

[3]

改善硅片表面粗糙度的工艺方法 [P].

蔡来强 .

中国专利 :CN120048724A ,2025-05-27

[4]

边缘粗糙度减小 [P].

金艳莎 ;

谭忠魁 ;

崔麟 ;

符谦 ;

马丁·沈 .

中国专利 :CN109216160A ,2019-01-15

[5]

边缘粗糙度减小 [P].

金艳莎 ;

谭忠魁 ;

崔麟 ;

符谦 ;

马丁·沈 .

美国专利 :CN109216160B ,2024-01-30

[6]

经由步长更改的线边缘粗糙度降低 [P].

托马斯·L·莱蒂格 ;

约瑟夫·约翰逊 ;

克里斯多弗·丹尼斯·本彻 .

中国专利 :CN108351599A ,2018-07-31

[7]

硅片边缘粗糙度检测治具及检测方法 [P].

张婉婉 ;

李阳 ;

衡鹏 ;

徐鹏 ;

韩聪 .

中国专利 :CN113483722B ,2024-01-26

[8]

硅片边缘粗糙度检测治具及检测方法 [P].

张婉婉 ;

李阳 ;

衡鹏 ;

徐鹏 ;

韩聪 .

中国专利 :CN113483722A ,2021-10-08

[9]

线边缘粗糙度控制 [P].

Y·蔡 ;

H·H·朱 ;

S·李 ;

S·S·康 .

中国专利 :CN101027759A ,2007-08-29

[10]

在沟槽蚀刻中降低线条边缘粗糙度 [P].

E·沃加纳 ;

H·H·朱 ;

D·乐 ;

P·勒温哈德特 .

中国专利 :CN1902745A ,2007-01-24

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